檢視氧化物半导体的原始碼

[[File:氧化物半导体1.jpg|缩略图|氧化物半导体[https://image2.slideserve.com/4458307/slide9-l.jpg 原图链接][https://image2.slideserve.com/4458307/slide9-l.jpg 图片来源优酷网]]]
氧化物半导体（oxide semiconductor）具有半导体特性的一类[[氧化物]]。氧化物半导体的电学性质与环境气氛有关。

氧化物半导体ZnO、CdO、SnO2等常用于制造气敏元件，Fe2O3、Cr2O3、Al2O3等常用于制造[[湿敏元件]]；SnO2膜用于制做透明电极等。

'''中文名''':[[氧化物半导体]]

'''外文名''':oxide semiconductor

'''类    型''':一类氧化物

'''具    有''':半导体特性

'''例    子''':ZnO、CdO、SnO2

==简介==

导电率随氧化气氛而增加称为氧化型半导体，是p型半导体；[[电导率]]随还原气氛而增加称为还原型半导体，是n型半导体；导电类型随气氛中氧分压的大小而成p型或n型半导体称为[[两性半导体]]。非单晶氧化物可用纯金属高温下直接氧化或通过低温化学反应(如金属氯化物与水的复分解反应)来制备。[[氧化物单晶]]的制备有焰熔法、熔体生长法和气相反应生长法。

作为“新一代电子的基础材料”而备受全球显示器技术人员关注的就是氧化物半导体TFT。因为氧化物半导体TFT是驱动超高精细液晶面板、有机EL面板以及[[电子纸]]等新一代[[显示器]]的TFT材料最佳候选之一。预计最早将在2012～2013年开始实用化，将来或许还会成为具备“柔性”和“透明”等特点的[[电子元件]]的实现手段 ；<ref>[张杰. 氧化物半导体薄膜晶体管的若干研究[D].浙江大学,2014.]</ref>  。
[[File:氧化物半导体2.jpg|缩略图|氧化物半导体[https://pic2.zhimg.com/v2-fcd0f4aa6e9f702eec48303d0022e5d5_r.jpg 原图链接][https://pic2.zhimg.com/v2-fcd0f4aa6e9f702eec48303d0022e5d5_r.jpg 图片来源优酷网]]]
==特点==

氧化物半导体是通常容易成为[[绝缘体]]的氧化物，但却具有半导体的性质。在众多物质当中，最受关注的是“[[透明非晶氧化物半导体]]（TAOS：Transparent Amorphous Oxide Semiconductors）”。非晶IGZO（In-Ga-Zn-O）就是一个代表性例子。除了[[三星]]和LG[[显示器]]等韩国企业外，日本的[[夏普]]、[[凸版印刷]]以及[[佳能]]等企业也在致力于TFT的应用开发。

TAOS类TFT的[[载流子]]迁移率高达250px2/Vs以上，特性不均现象也较小。因此，可驱动像素为“4K×2K” （4000×2000像素级）、驱动频率为240Hz的新一代高清晰液晶显示器。当前的标准技术——非晶硅类TFT以及作为新一代技术而被大力开发的有机半导体TFT因载流子迁移率只有数cm2/Vs以下，很难应用到上述用途中。即使是在有机EL显示器领域，与开发案例较多的低温多晶硅类TFT相比，实现[[大屏幕]]化时还是TAOS类TFT具有优势这是因为AOS类TFT可以抑制有机EL面板中存在着的因TFT特性不均而导致的显示不均现象。TAOS薄膜可通过溅射法形成，制造成本也容易降低。

==视频==
==CPU成本那么低为什么还卖那么贵？看制造过程你就知道有多难==

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==参考文献==
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