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{| class="wikitable" align="right" |- | style="background: #FF2400" align= center| '''<big>Mos管开关电路</big>''' |- |<center><img src=https://p1.ssl.qhimg.com/dr/270_500_/t01a10c349d676178e3.png?size=463x339 width="300"></center> <small>[https://baike.so.com/doc/9120753-9453750.html 来自 网络 的图片]</small> |- |- | align= light| |} '''MOS管开关电路'''是利用一种电路,是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种。 =='''简介'''== PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。需要注意的是,Vgs指的是栅极G与源极S的电压,即栅极低于电源一定电压就导通,而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通[[内阻]]比较大,所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管FHD80N06B、FHD100N03D、FHD150N03C的型号参数数据均通过实际进行测试得出,具体在负载开关电路中的使用,建议开发工程师进一步取样测试。毕竟不同的性能以及需求对应要选择的MOS管还是会有差异的,详细参数规格表可登陆“飞虹电子”网址。 =='''评价'''== NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了,漏极D接电源,源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差,所以当NMOS作为高端驱动时候,当漏极D与源极S导通时,漏极D与源极S电势相等,那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压,漏极D与源极S才能继续导通。<ref>[http://news.sohu.com/a/536570078_99914492 Mos管开关电路]搜狗</ref> =='''参考文献'''== [[Category:470 製造總論]]
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