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孙仲
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{| class="wikitable" style="float:right; margin: -10px 0px 10px 20px; text-align:left" |<center>''' 孙仲 '''<br><img src=" https://www.ime.pku.edu.cn/images/content/2020-10/20201020090854296700.jpg " width="180"></center><small>[https://www.ime.pku.edu.cn/szll/rygc/s/1326228.htm 北京大学集成电路学院 ]</small> |} '''孙仲''',男,北京大学集成电路学院研究员。 ==人物履历== === 教育及工作经历 === 2020年至今,北京大学,研究员,北大博雅青年学者,国家高层次青年人才 2016 – 2020,米兰理工大学,博士后 2011 – 2016,清华大学,获博士学位 2007 – 2011,南开大学,获学士学位 ==研究简介== 长期从事阻变存储器及新型计算范式研究,相关论文发表在PNAS、Science Advances、Nature Communications、IEEE TCAS-I/II等期刊,曾获意大利知识产权一等奖。 ==研究兴趣== [[模拟矩阵计算]],包括基本矩阵计算单元设计、模拟电路与模拟计算理论,及面向机器学习、科学计算、无线通信等领域的应用; 基于阻变动力学的神经网络模型,包括阻变存储器电路的动力学特性与应用、吸引子网络理论与算法; [[新原理阻变器件]],包括器件的创新设计与优化、器件的精准写入机制设计等方面,实现高性能器件与阵列的制备。 本课题组拟每年招收1-2名博士生,面向微电子、电子、物理、通信等专业的学生招收。常年招聘博士后,待遇从优。同时欢迎本科生年轻朋友加入团队一起工作! ==学术成果== === 论文 === * Z. Sun, G. Pedretti, E. Ambrosi, A. Bricalli, W. Wang, D. Ielmini, Solving matrix equations in one step with cross-point resistive arrays. Proc. Natl Acad. Sci. USA 2019, 116, 4123-4128. * Z. Sun, G. Pedretti, A. Bricalli, D. Ielmini, One-step regression and classification with crosspoint resistive-memory arrays. Sci. Adv. 2020, 6, eaay2378. * Z. Sun, G. Pedretti, E. Ambrosi, A. Bricalli, D. Ielmini, In-memory PageRank accelerator with a crosspoint array of resistive memories. IEEE Trans. Electron Devices 2020, 67, 1466-1470. * Z. Sun, G. Pedretti, E. Ambrosi, A. Bricalli, D. Ielmini, Time complexity of in-memory solution of linear systems. IEEE Trans. Electron Devices 2020, 67, 2945-2951. * Z. Sun, G. Pedretti, E. Ambrosi, A. Bricalli, D. Ielmini, In-memory eigenvector computation in time O(1). Adv. Intell. Syst. 2020, 2, 2000042. * Z. Sun, R. Huang, Time complexity of in-memory matrix-vector multiplication. IEEE Trans. Circuits Syst. II, Exp. Brief 2021, 68, 2785-2789. * S. Wang, Z. Sun, Y. Liu, S. Bao, Y. Cai, D. Ielmini, R. Huang. Optimization Schemes for In-Memory Linear Regression Circuit With Memristor Arrays. IEEE Trans. Circuits Syst. I Regul. Pap. 2021, 68, 4900-4909. * Z. Sun, E. Ambrosi, A. Bricalli, D. Ielmini, Logic computing with stateful neural networks of resistive switches. Adv. Mater. 2018, 30, 1802554. * Z. Sun, Y. G. Zhao, M. He, L. Gu, C. Ma, K. J. Jin, D. Y. Zhao, N. N. Luo, Q. H. Zhang, N. Wang, W. H. Duan, C. W. Nan, Deterministic role of concentration surplus of cation vacancy over anion vacancy in bipolar memristive NiO. ACS Appl. Mater. Interfaces 2016, 8, 11583. * W. Wang, M. Wang, E. Ambrosi, A. Bricalli, M. Laudato, Z. Sun, X. Chen, D. Ielmini, Surface diffusion-limited lifetime of silver and copper nanofilaments in resistive switching devices. Nat. Commun. 2019, 10, 81.<ref>[https://www.ime.pku.edu.cn/index.htm 北京大学集成电路学院]</ref> ==参考资料== {{reflist}} [[Category:教授]]
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