檢視 CMOS工艺的原始碼

[[File:CMOS工艺.jpg|缩略图|[https://image.baidu.com/search/detail?ct=503316480&z=0&ipn=d&word=CMOS%E5%B7%A5%E8%89%BA&step_word=&hs=0&pn=0&spn=0&di=113630&pi=0&rn=1&tn=baiduimagedetail&is=0%2C0&istype=0&ie=utf-8&oe=utf-8&in=&cl=2&lm=-1&st=undefined&cs=1222508962%2C2883334329&os=3128560206%2C2426414910&simid=4218041089%2C556480656&adpicid=0&lpn=0&ln=1889&fr=&fmq=1621429908713_R&fm=&ic=undefined&s=undefined&hd=undefined&latest=undefined&copyright=undefined&se=&sme=&tab=0&width=undefined&height=undefined&face=undefined&ist=&jit=&cg=&bdtype=0&oriquery=&objurl=https%3A%2F%2Fgimg2.baidu.com%2Fimage_search%2Fsrc%3Dhttp%3A%2F%2Fupload.semidata.info%2Fnew.eefocus.com%2Farticle%2Fimage%2F2018%2F03%2F02%2F5a98d2933b608.jpg%26refer%3Dhttp%3A%2F%2Fupload.semidata.info%26app%3D2002%26size%3Df9999%2C10000%26q%3Da80%26n%3D0%26g%3D0n%26fmt%3Djpeg%3Fsec%3D1624021918%26t%3D41bd1e0829064c56b7e8f96550b8f167&fromurl=ippr_z2C%24qAzdH3FAzdH3Fooo_z%26e3Bjju5v7f_z%26e3Bv54AzdH3Ffw4sAzdH3Ftg1jxAzdH3Fs5257pAzdH3F%3F6j1t6jvp%3Dippr_z2C%24qAzdH3FAzdH3Fooo_z%26e3Bjju5v7f_z%26e3Bv54AzdH3F4v7-1frAzdH3F9a99bcAzdH3F6a&gsm=1&rpstart=0&rpnum=0&islist=&querylist=&force=undefined 原图链接][https://www.eefocus.com/mcu-dsp/404485 来自与非网]]]
'''CMOS工艺'''是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。CMOS中的C表示“互补”，即将NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一[[硅衬底]]上，制作[[CMOS集成电路]]。

== 工艺 ==
CMOS电路中既包含NMOS晶体管也包含PMOS晶体管，NMOS晶体管是做在P型硅衬底上的，而PMOS晶体管是做
在N型硅衬底上的，要将两种晶体管都做在同一个硅衬底上，就需要在硅衬底上制作一块反型区域，该区域被称为“[[阱]]”。根据阱的不同，CMOS工艺分为P阱CMOS工艺、N阱CMOS工艺以及双阱CMOS工艺。其中N阱CMOS工艺由于工艺简单、电路性能较P阱CMOS工艺更优，从而获得广泛的应用。
<ref>[https://www.sohu.com/a/331531732_99955608  40 nm CMOS 工艺平台多叉指 NMOS 器件设计与截止频率提升 ]搜狐</ref>

== 概况 ==
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。CMOS中的C表示“[[互补]]”，即将NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一硅衬底上，制作CMOS集成电路。
== 优势 ==
CMOS集成电路具有功耗低、速度快、抗干扰能力强、集成度高等众多优点。CMOS工艺已成为当前大规模集
成电路的主流工艺技术，绝大部分集成电路都是用CMOS工艺制造的。
<ref>[https://www.163.com/dy/article/FI8ELRSQ05312NX9.html 【2020 VLSI】先进CMOS工艺一览]网易订阅</ref>

==参考文献==
{{Reflist}}
[[Category:487 製造品業]]