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[[File:光刻胶.jpeg|有框|右|<big>光刻胶</big>[https://dfsimg1.hqewimg.com/group1/M00/16/47/wKhk718ZYAyACNmTAAUqGtaoCOM905.png 原图链接][https://tech.hqew.com/news_2064282 来自 华强电子网 的图片]]] '''光刻胶'''(Photoresist)又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、[[X射线]]等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。 在光刻工艺过程中,用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时,若采用适当的有选择性的光刻胶,可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。 在光刻胶工艺过程中,涂层曝光、显影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下来,该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来,而未曝光被溶解,该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同,又分为紫外光刻胶(包括紫外正、负性光刻胶)、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。 光刻胶生产技术较为复杂,品种规格较多,在电子工业集成电路的制造中,对所使用光刻胶有严格的要求。<ref>[https://xueqiu.com/1350835595/159134086 一文看懂光刻胶],雪球,2020-09-14</ref>
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