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[[File:双极型晶体管1.png|缩略图|双极型晶体管[https://gss0.baidu.com/-fo3dSag_xI4khGko9WTAnF6hhy/zhidao/pic/item/9a504fc2d56285357b283cf39eef76c6a6ef631c.jpg 原图链接][https://gss0.baidu.com/-fo3dSag_xI4khGko9WTAnF6hhy/zhidao/pic/item/9a504fc2d56285357b283cf39eef76c6a6ef631c.jpg 图片来源优酷网]]] 由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触[[晶体三极管]],50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构:PNP型和NPN型。在这3层半导体中,中间一层称基区,外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时,在发射区和集电区之间就会形成较大的电流,这就是晶体管的放大效应。 '''中文名''':[[双极型晶体管]] '''外文名''':Bipolar Junction Transistor '''实 质''':电流控制器件 '''导 电''':电子和空穴
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