檢視气相外延法的原始碼

[[File:气相外延法1.jpg|缩略图|气相外延法[http://www.ecorr.org/d/file/news/industry/2018-11-13/6b7c9f4736fa586b3bbb5e6e2d278bf3.jpg 原图链接][http://www.ecorr.org/d/file/news/industry/2018-11-13/6b7c9f4736fa586b3bbb5e6e2d278bf3.jpg 图片来源优酷网]]]
气相外延法是指一种晶体浮生在另一种晶体上的方法，[[浮生晶体]]与衬底晶体间存在着结构相似的[[晶体学低指数]]。面晶体是在结构匹配的界面上生长，称为配向浮生  。

'''中文名''':[[气相外延法]]

'''外文名''':Gas phase epitaxy

'''学    科''':[[材料工程]]

'''领    域''':[[工程技术]]