檢視王守武的原始碼

{{Infobox person
| 姓名     = 王守武
| 圖像     =
[[File:Gv.jpg|缩略图|居中|[https://timgsa.baidu.com/timg?image&quality=80&size=b9999_10000&sec=1567782257126&di=90d408db573dffcaacad55af192593c7&imgtype=0&src=http%3A%2F%2Fwww.cas.cn%2Fzt%2Frwzt%2Fqmjzt2015%2Fwsw%2Ftp%2F201503%2FW020150326545135992140.jpg原图连接][https://www.maigoo.com/mingren/3589.html来自企业买购网]]]
| 圖像說明 = 
| 出生日期 = 1919年03月15日
| 國籍     = 中國
| 别名     = 
| 職業     = 教学科研工作者
| 知名原因 =1980年当选中国科学院院士
| 知名作品 = 《半导体的电子生伏打效应的理论》 
}}
王守武（1919年3月15日-2014年7月30日），江苏苏州人，半导体器件物理学家、微电子学家，中国半导体科学技术的开拓者与奠基人之一。
1941年王守武毕业于上海同济大学，1945年赴美留学，1949年获美国普渡大学博士研究生学位，1950年回国后先后任中国科学院应用物理所半导体研究室室主任；中国科学院半导体研究所副所长；中国科学院109厂厂长；中国科学院微电子中心名誉主任等职；1979年获全国劳动模范称号；1980年当选为中国科学院院士   。
王守武主持研制成功中国第一只砷化镓半导体激光器；主持研制成功4千位、16千位的DRAM大规模集成电路，在研究与开发中国半导体材料、半导体器件及大规模集成电路方面做出了重要贡献。在中国科技大学兼职授课20余年，培养了一批物理学家和半导体技术专家。1979年和1981年获中国科学院科研成果一等奖；1985年两次、1990年获中科院科技进步奖二等奖；1987年获国家科技进步奖二等奖。
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