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{| class="wikitable" align="right" |- | style="background: #FF2400" align= center| '''<big>霍尔传感器</big>''' |- |<center><img src=https://p1.ssl.qhimg.com/dr/270_500_/t019c5a98905e8b8c17.jpg?size=957x661 width="300"></center> <small>[https://baike.so.com/doc/1230395-1301381.html 来自 网络 的图片]</small> |- |- | align= light| |} '''霍尔传感器'''是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855-1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
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