檢視化合物半导体集成电路的原始碼

{| class="https://image.baidu.com/search/detail?ct=503316480&z=0&ipn=d&word=%E5%8C%96%E5%90%88%E7%89%A9%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E9%9B%86%E6%88%90%E7%94%B5%E8%B7%AF&step_word=&hs=0&pn=21&spn=0&di=7077213605308923905&pi=0&rn=1&tn=baiduimagedetail&is=0%2C0&istype=0&ie=utf-8&oe=utf-8&in=&cl=2&lm=-1&st=undefined&cs=1760250591%2C1924205336&os=3843700749%2C1481182461&simid=1760250591%2C1924205336&adpicid=0&lpn=0&ln=1885&fr=&fmq=1652532310134_R&fm=&ic=undefined&s=undefined&hd=undefined&latest=undefined&copyright=undefined&se=&sme=&tab=0&width=undefined&height=undefined&face=undefined&ist=&jit=&cg=&bdtype=0&oriquery=&objurl=https%3A%2F%2Fgimg2.baidu.com%2Fimage_search%2Fsrc%3Dhttp%3A%2F%2Fpica.zhimg.com%2Fv2-be9fbea3f14d9fd13c7d1edd0cbae568_1440w.jpg%3Fsource%3D172ae18b%26refer%3Dhttp%3A%2F%2Fpica.zhimg.com%26app%3D2002%26size%3Df9999%2C10000%26q%3Da80%26n%3D0%26g%3D0n%26fmt%3Dauto%3Fsec%3D1655124635%26t%3Dc01e9725bbdb9e17923cd4e1e4d22003&fromurl=ippr_z2C%24qAzdH3FAzdH3Fzi7wgswg_z%26e3Bziti7_z%26e3Bv54AzdH3FrAzdH3Fd9ca8mb8d&gsm=16&rpstart=0&rpnum=0&islist=&querylist=&nojc=undefined" style="float:right; margin: -10px 0px 10px 20px; text-align:left"
|<center>'''化合物半导体集成电路'''<br><img
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'''化合物半导体集成电路'''是将[[晶体管]]、[[二极管]]等有源元件和[[电阻器]]、[[电容器]]等无源元件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶（主要是[[硅单晶]]）片上。

*中文名:[[化合物半导体集成电路]]

*包    括:[[晶体管]]、[[二极管]]和[[电阻器]]

*方    法:按照一定的电路互连

*属    性:[[厚膜电路]]与[[薄膜电路]]

==类别==
[[集成电路]]如果以构成它的电路基础的晶体管来区分,有[[双极型集成电路]]和[[MOS集成电路]]两类。前者以双极结型[[平面晶体管]]为主要器件，后者以MOS场效应晶体管为基础。一般说来，双极型集成电路优点是速度比较快，缺点是集成度较低,功耗较大；而MOS集成电路则由于MOS器件的自身隔离，工艺较简单，集成度较高,功耗较低，缺点是速度较慢。近来在发挥各自优势，克服自身缺点的发展中，已出现了各种新的器件和[[电路结构]]。

集成电路按电路功能分，可以有以门电路为基础的[[数学逻辑]]电路和以放大器为基础的线性电路。后者由于半导体衬底和工作元件之间存在着有害的相互作用，发展较前者慢。同时应用于微波的[[微波集成电路]]和从Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体激光器和[[光纤维导管]]为基础的光集成电路也正在发展之中。

半导体集成电路除以硅为基础的材料外，[[砷化镓]]也是重要的材料，以它为基础材料制成的集成电路，其工作速度可比硅集成电路高一个数量级，有着广阔的发展前景。

厚膜电路与[[薄膜电路]]

==发展前景==
化合物半导体集成电路产业一方面面临着市场景气欠佳的困难，另一方面同时又面临着硅CMOS、BiCMOS的激烈竞争。化合物半导体集成电路产业的前景怎样？这是业内外人士普遍关心的问题。

分析产业发展前景主要应考虑市场机遇。我们认为[[化合物]]半导体集成电路产业面临着四个有利机遇。其中第一个机遇是[[移动通信技术]]正在不断朝有利于[[化合物半导体集成电路]]的方向发展。二代半（2.5G）技术正在逐渐成为移动通信技术的主流，同时正在逐渐向第三代过渡。由于二代半技术对功放的[[效率]]和[[散热]]有更高的要求，所以这对砷化镓有利。三代技术要求更高的工作频率，更宽的带宽和高线性，这也是对砷化镓和锗硅技术有利的。第四代（4G）的概念已明确提出来了。四代技术对手机有更高要求。它要求手机在楼内可接入[[无线局域网]]<ref>[[时巍，董毅主编；董燕妮，刘晓峰，李莹副主编．计算机应用技术项目教程：冶金工业出版社，2016.02：第239页]]</ref> （WLAN），即可工作到2.4GHz和5.8GHz，在室外可在二代、二代半、三代等任意制式下工作。因此这是一种多功能、多频段、多模式的[[移动终端]]。从系统小巧来说，当然会希望实现[[单芯片集成]]（SOC），但单一的硅技术无法在那么多功能和模式上都达到性能最优。要把各种优化性能的功能集成在一起，只能用系统级封装（SIP），即在同一封装中用硅、锗硅、砷化镓等不同工艺来优化实现不同功能，这就为砷化镓和锗硅的不断发挥优势带来了新的机遇。

第二个机遇来自消费类[[电子]]，全球的Wi－Fi市场方兴未艾，[[家用电子产品]]装备[[无线控制]]和数据连接的比例越来越高，音视频装置日益无线化。再加上[[笔记本电脑]]的日益普及，这类产品的市场为锗硅集成电路的应用带来了新机遇。

第三个机遇来自新一代的[[光纤通信技术]]。尽管光纤通信市场非常萧条，但新一代的40GBPS光通信设备不久肯定会开始装备，10GBPS的[[光通信设备]]会代替原有的2.5GBPS设备投入大量使用。而这些设备中将大量使用[[磷化甸]]、砷化镓、[[锗硅]]等化合物半导体集成电路。

第四个机遇来自[[汽车电子]]，[[汽车防撞雷达]]已在很多高档车上得到了实用，将来肯定会越来越普及。由于汽车防撞雷达一般工作在毫米波段，所以肯定离不开砷化镓甚至磷化铟，它的中频部分会用到锗硅，由于全球汽车工业十分庞大，所以这是一个早晚必定会发生的巨大市场。

总之，化合物半导体集成电路产业的不断发展是不容置疑的。中国大陆化合物半导体集成电路产业的建设和发展也只是个时间问题。

'''视频''''

'''近20家科创板受理企业涉半导体集成电路'''

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==参考文献==
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[[Category:400 應用科學總論]]