檢視半导体激光技术的原始碼

[[File:半导体激光技术1.jpg|缩略图|半导体激光技术[https://pic1.zhimg.com/v2-fb2a3530e3b7c2f9f85f66675b69caf2_1440w.jpg?source=172ae18b 原图链接][https://pic1.zhimg.com/v2-fb2a3530e3b7c2f9f85f66675b69caf2_1440w.jpg?source=172ae18b 图片来源优酷网]]]
半导体激光（Semiconductor laser）在1962年被成功激发，在1970年实现室温下连续输出。后来经过改良，开发出[[双异质接合型激光]]及条纹型构造的[[激光二极管]]（Laser diode）等，广泛使用于[[光纤通信]]、[[光盘]]、[[激光打印机]]、[[激光扫描器]]、[[激光指示器]]（激光笔），是生产量最大的[[激光器]]。

'''中文名''':[[半导体激光]]

'''外文名''':Semiconductor laser

'''开发时间''':1962

'''应    用''':[[光纤通信]]、[[光盘]]等

==半导体激光器==

===构造及材料===

半导体激光器在基本构造上，它属于[[半导体]]的P-N接面，但激光二极管是以金属包层从两边夹住发光层（有源层），是“双异质结接合构造”。而且在激光二极管中，将界面作为发射镜（谐振腔）使用。在使用材料方面，有[[镓]](Ga)、[[砷]](As)、[[铟]](In)、[[磷]]P)等。此外在多量子阱型中，也使用Ga·Al·As等。

由于具有条状结构，即使是微小电流也会增加活性区域的电子数反转密度，

优点是激发容易呈现单一形式，而且，其寿命可达10~100万小时。  
[[File:半导体激光技术2.jpg|缩略图|半导体激光技术[http://5b0988e595225.cdn.sohucs.com/images/20200320/347f3e7d07ea43df8e4e9dab3f8b1f56.jpeg 原图链接][http://5b0988e595225.cdn.sohucs.com/images/20200320/347f3e7d07ea43df8e4e9dab3f8b1f56.jpeg 图片来源优酷网]]]
===条件===

半导体激光器是一种相干辐射光源，要使它能产生激光，必须具备三个基本条件：

增益条件：建立起激射媒质(有源区)内载流子的反转分布。在半导体中代表电子能量的是由一系列接近于连续的能级所组成的能带，因此在半导体中要实现粒子数反转，必须在两个能带区域之间，处在高能态
导带底的电子数比处在低能态价带顶的空穴数大很多，这靠给同质结或异质结加正向偏压，向有源层内注人必要的[[载流子]]来实现，将[[电子]]从能量较低的价带激发到能量较高的导带中去。当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。

要实际获得相干受激辐射，必须使受激辐射在光学谐振腔内得到多次反馈而形成激光振荡，激光器的谐振腔是由[[半导体晶体]]的自然解理面作为反射镜形成的，通常在不出光的那一端镀上高反多层介质膜，而出光面镀上减反膜。对F-p腔(法布里一拍罗腔)半导体激光器可以很方便地利用晶体的与P一n结平面相垂直的自然解理面构成F一P腔。

为了形成稳定振荡，激光媒质必须能提供足够大的增益，以弥补谐振腔引起的光损耗及从腔面的激光输出等引起的损耗，不断增加腔内的光场。这就必须要有足够强的电流注入，即有足够的[[粒子数]]反转，粒子数反转程度越高，得到的增益就越大，即要求必须满足一定的电流阀值条件。当激光器达到阀值，具有特定波长的光就能在腔内谐振并被放大，最后形成激光而连续地输出。可见在半导体激光器中，[[电子]]和空穴的偶极子跃迁是基本的光发射和光放大过程对于新型半导体激光器而言，人们公认量子阱是半导体激光器发展的根本动力。[[量子线]]和[[量子点]]能否充分利用量子效应的课题已延至本世纪，科学家们已尝试用自组织结构在各种材料中制作量子点，而GaInN量子点已用于半导体激光器。另外，科学家也已经做出了另一类受激辐射过程的量子级联激光器，这种受激辐射基于从半导体导带的一个次能级到同一能带更低一级状态的跃迁，由于只有导带中的电子参与这种过程，因此它是单极性器件。 ；<ref>[黄德修, 刘雪峰. 半导体激光器及其应用[M]. 国防工业出版社, 1999.]</ref> 
[[File:导体激光技术3.jpg|缩略图|导体激光技术[http://p5.itc.cn/q_70/images03/20201216/f37173d7fc024bdbb4a8e0e240c8fa13.jpeg 原图链接][http://p5.itc.cn/q_70/images03/20201216/f37173d7fc024bdbb4a8e0e240c8fa13.jpeg 图片来源优酷网]]]
==特点==

激光二极管的优点是效率高、体积小、重量轻且价格低。尤其是多重量子井型的效率有20~40%，总而言之能量效率高是其最大特色。另外，它的连续输出波长涵盖了红外线到可见光范围，而光[[脉冲]]输出达50W（带宽100ns）等级的产品也已商业化，作为[[激光雷达]]或激发光源可说是非常容易使用的激光的例子。

通常激光器封装形式主要包括单管、Bar条、阵列（Stack）、光纤耦合模块四种形式，其中光纤耦合模块主要用作[[[光纤激光器]]的泵浦光源。  

==应用==

半导体激光器是成熟较早、进展较快的一类激光器，由于它的波长范围宽，制作简单、成本低、易于大量生产，并且由于体积小、重量轻、寿命长，因此，品种发展快，应用范围广，已超过300种，半导体激光器的最主要应用领域是Gb局域网，850nm波长的半导体激光器适用于Gh局域网，1300nm -1550nm波长的半导体激光器适用于1OGb局域网系统。半导体激光器的应用范围覆盖了整个光电子学领域，已成为当今光电子科学的核心技术。半导体激光器在激光测距、[[激光雷达]]、[[激光通信]]、激光模拟武器、激光警戒、激光制导跟踪、引燃引爆、自动控制、[[检测仪器]]等方面获得了广泛的应用，形成了广阔的市场。1978年，半导体激光器开始应用于光纤通信系统，半导体激光器可以作为光纤通信的光源和指示器以及通过大规模集成电路平面工艺组成光电子系统。由于半导体激光器有着超小型、高效率和高速工作的优异特点，所以这类器件的发展，一开始就和[[光通信技术]]紧密结合在一起，它在光通信、光变换、光互连、并行光波系统、光信息处理和光存贮、[[光计算机]]外部设备的光祸合等方面有重要用途。半导体激光器的问世极大地推动了信息光电子技术的发展，到如今，它是当前光通信领域中发展最快、最为重要的激光光纤通信的重要光源。半导体激光器再加上低损耗光纤，对光纤通信产生了重大影响，并加速了它的发展。因此可以说，没有半导体激光器的出现，就没有当今的光通信。双异质结激光器是光纤通信和大气通信的重要光源，如今，凡是长距离、大容量的光信息传输系统无不都采用分布反馈式半导体激光器（DFB一LD)，半导体激光器也广泛地应用于[[光盘技术]]中，光盘技术是集计算技术、激光技术和数字通信技术于一体的综合性技术。 <ref>[王德, 李学千. 半导体激光器的最新进展及其应用现状[J]. 光学精密工程, 2001, 9(3):279-283.]</ref> 

==工作原理==

半导体激光器工作原理是激励方式。利用半导体物质，即利用电子在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光振荡、反馈、产生光的辐射放大，输出激光。

半导体激光器优点是体积小、重量轻、运转可靠、耗电少、效率高等。

半导体激光器封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的，但却有很大的特殊性。一般情况下，分立器件的管芯被密封在封装体内，封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。而半导体激光器封装则是完成输出电信号，保护[[管芯]]正常工作、输出可见光的功能。既有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于半导体激光器。 



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==参考文献==
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[[Category:337 電學；電子學]]