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[[File:双极型晶体管1.png|缩略图|双极型晶体管[https://gss0.baidu.com/-fo3dSag_xI4khGko9WTAnF6hhy/zhidao/pic/item/9a504fc2d56285357b283cf39eef76c6a6ef631c.jpg 原图链接][https://gss0.baidu.com/-fo3dSag_xI4khGko9WTAnF6hhy/zhidao/pic/item/9a504fc2d56285357b283cf39eef76c6a6ef631c.jpg 图片来源优酷网]]]
由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触[[晶体三极管]]，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。

'''中文名''':[[双极型晶体管]]

'''外文名''':Bipolar Junction Transistor

'''实    质''':电流控制器件

'''导    电''':电子和空穴

==介绍==

双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor）

双极型晶体管是一种电流控制器件，[[电子]]和[[空穴]]同时参与导电。同[[场效应晶体管]]<ref>[童诗白，华成英．《模拟电子技术基础》．北京：高等教育出版社，2006.05：39页]</ref> 相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于[[广播]]、[[电视]]、[[通信]]、[[雷达]]、[[计算机]]、[[自控装置]]、[[电子仪器]]、[[家用电器]]等领域，起放大、振荡、开关等作用。晶体管：用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管.

==分类==

晶体管分类：[[双极型晶体管]]和[[场效应管]]

双极型晶体管分类：NPN型管和PNP型管

==特点==

输入特性曲线：描述了在管压降UCE一定的情况下，基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性，可表示为：[[ 硅管]]的开启[[电压]]约为0.7V，锗管的开启电压约为0.3V。

输出特性曲线：描述基极电流IB为一常量时，集电极电流iC与管压降uCE之间的[[函数]]关系。可表示为：

双极型晶体管输出特性可分为三个区

★截止区：[[发射结]]和[[集电结]]均为反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。如果把三极管当作一个开关，这个状态相当于断开状态。

★饱和区：发射结和集电结均为正向偏置。在饱和区IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE@0，IC=EC/RC，把三极管当作一个开关，这时开关处于闭合状态。
[[File:双极型晶体管2.jpg|缩略图|双极型晶体管[http://www.elecfans.com/baike/UploadPic/2010-3/201035133219766.jpg 原图链接][http://www.elecfans.com/baike/UploadPic/2010-3/201035133219766.jpg 图片来源优酷网]]]
★放大区：发射结正偏，集电结反偏。

放大区的特点是：

◆IC受IB的控制，与UCE的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。

◆特性曲线平坦部分之间的间隔大小，反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小，间隔越大表示管子电流放大系数b越大。

◆伏安特性最低的那条线为IB=0，表示基极开路，IC很小，此时的IC就是穿透电流ICEO。

◆在放大区电流电压关系为：UCE=EC-ICRC, IC=βIB

◆在放大区管子可等效为一个可变直流电阻。

极间反向电流：是少数载流子漂移运动的结果。

集电极－基极反向饱和电流ICBO ：是集电结的反向电流。

集电极－发射极[[反向饱和电流]]ICEO ：它是穿透电流。
[[File:双极型晶体管3.jpg|缩略图|双极型晶体管[http://www.elecfans.com/baike/UploadPic/2010-3/20103511462268.jpg 原图链接][http://www.elecfans.com/baike/UploadPic/2010-3/20103511462268.jpg 图片来源优酷网]]]
ICEO与CBO的关系：

特征频率 ：由于晶体管中PN结结电容的存在，晶体管的交流电流放大系数会随工作频率的升高而下降，当 的数值下降到1时的信号频率称为特征频率 。

双极型晶体管极限参数

★最大集电极耗散功率 。

★最大集电极电流 :使b下降到正常值的1/2～2/3时的集电极电流称之为集电极最大允许电流。

★极间反向击穿电压：晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的最高反向电压即为极间[[反向击穿电压]]，超过此值的管子会发生击穿现象。温度升高时，击穿电压要下降。

==影响==
BVcbo

是发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压，这是集电结所允许加的最高反向电压。是基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压，此时集电结承受的反向电压。

BVebo

是集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压，这是发射结所允许加的最高反向电压。

BVceo

这是共发射极组态的击穿电压，即基极开路时、集电极与发射极之间的击穿电压。由于在基极开路时，集电结是反偏、发射结是正偏的，即BJT处于放大状态。

温度对的影响： 是集电结加反向电压时平衡少子的漂移运动形成的，当温度升高时，热运动加剧，更多的价电子有足够的能量挣脱共价键的束缚，从而使少子的浓度明显增大， 增大。

温度每升高10 时， 增加约一倍。硅管的 比锗管的小得多，硅管比锗管受温度的影响要小。

温度对输入特性的影响：温度升高，正向特性将左移。

温度对输出特性的影响：温度升高时 增大。

光电三极管：依据光照的强度来控制集电极电流的大小。

暗电流ICEO：光照时的集电极电流称为暗电流ICEO，它比光电二极管的暗电流约大两倍；温度每升高25 ，ICEO上升约10倍。

==视频==
==电磁炉IGBT功率管的认识和测量以及好坏判断==
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==参考文献==
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[[Category:337 電學；電子學]]