檢視电子器件的电离辐射效应的原始碼

{| class="wikitable" align="right"
|-
|<center><img src=https://www0.kfzimg.com/sw/kfz-cos/kfzimg/15065039/9c30dfcbbedeaf88_s.jpg width="260"></center>
<small>[https://book.kongfz.com/510247/7001051784 来自 孔夫子网 的图片]</small>
|}

《'''电子器件的电离辐射效应'''》，副标题：从存储器到图像传感器，[意] 马尔塔·巴吉安，西蒙尼·杰拉尔丁 编，毕津顺，于庆奎，丁李利，李博 译，出版社： 电子工业出版社。

电子工业出版社成立于1982年10月，是工业和信息化部直属的[[科技]]与教育出版社，每年出版新书2400余种，音像和电子出版物400余种，期刊8种，出版物内容涵盖了信息科技的各个专业分支以及工业技术、经济管理、大众生活、少儿[[科普]]<ref>[https://www.douban.com/group/topic/116170316/ 100部科普经典名著]，豆瓣，2018-04-26</ref>等领域，综合出版能力位居全国出版行业前列<ref>[https://www.phei.com.cn/module/wap/about.jsp 关于我们]，电子工业出版社</ref>。

==内容简介==

本书完整地涵盖了现代半导体的电离辐射效应，深入探讨了抗辐射加固技术。首先介绍辐射效应的重要背景知识、物理机制、仿真辐射输运的蒙特卡罗技术和电子器件的辐射效应。重点阐述以下内容：商用数字集成电路的辐射效应，包括微处理器、易失性存储器（SRAM和DRAMD和闪存；数字电路、现场可编程门阵列（FPGA）和混合模拟电路中的软错误效应、总剂量效应、位移损伤效应和设计加固解决方案；[[纤维光学]]和成像器件（包括CMOS图像传感器和电荷耦合器件CCD）的辐射效应。

本书可给予刚进入本领域的研究人员指导，供电路设计者、系统设计者和可靠性工程师学习，也可以作为资深科学家和工程师的参考书。还可以作为该领域本科生、硕士生、博士生和教师学习或教授电子器件电离辐射效应基础知识的参考书。

==作者介绍==

马尔塔·巴吉安（Marta Bagatin），毕业于意大利帕多瓦大学，2006年获得电子工程专业学士学位，2010年获得信息科学与技术专业博士学位。她目前作为博士后，就职于[[意大利帕多瓦大学]]信息工程系。她的研究兴趣主要是电子器件的辐射效应和可靠性，特别关注非易失半导体存储器。在辐射效应和可靠性领域，Marta 以第一作者或共同作者身份在国际期刊上发表论文约40篇，在国际会议上发表论文约50篇，撰写过两部专著的部分章节。她还经常作为核与空间辐射效应会议（NSREC)以及器件与系统的辐射效应会议（RADECS)等国际会议的委员，也是诸多学术期刊的审稿人。

==参考文献==
[[Category:040 類書總論；百科全書總論]]