檢視 N沟MOS晶体管的原始碼

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|<center>'''N沟MOS晶体管'''<br><img
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'''N沟MOS晶体管'''是金属-氧化物-[[半导体]](Metal-Oxide-Semiconductor)的一种，结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为[[MOS集成电路]]，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。

*中文名:[[N沟MOS晶体管]]

*外文名:Metal-Oxide-Semiconductor

*简    称:[[MOS晶体管]]

*分    类:工业

==基本信息==
由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

NMOS集成电路是N沟道MOS电路，NMOS集成电路的输入阻抗很高，基本上不需要吸收[[电流]]，因此，CMOS与NMOS集成电路连接时不必考虑电流的[[负载]]问题。NMOS集成电路大多采用单组正电源供电，并且以5V为多。CMOS集成电路只要选用与NMOS集成电路相同的[[电源]]，就可与NMOS集成电路直接连接。不过，从NMOS到CMOS直接连接时，由于NMOS输出的高电平低于CMOS集成电路的输入高电平，因而需要使用一个（电位）上拉电阻R，R的取值一般选用2～100KΩ。

==结构==
在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极d和源极s。
然后在半导体表面覆盖一层很薄的[[二氧化硅]](SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。

在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。

它的栅极与其它电极间是绝缘的。

图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反，如图(c)所示。

==工作原理==
vGS对iD及沟道的控制作用

① vGS=0 的情况

从图1(a)可以看出，增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅——源电压vGS=0时，即使加上漏——源电压vDS，而且不论vDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏——源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流iD≈0。

② vGS>0 的情况

若vGS>0，则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个电场。电场方向垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场。这个[[电场能]]排斥[[空穴]]而吸引[[电子]]。

排斥空穴：使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子([[负离子]])，形成耗尽层。吸引电子：将 P型衬底中的电子（少子）被吸引到衬底表面。

'''导电沟道的形成'''

当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏——源极之间仍无导电沟道出现，如图1(b)所示。vGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏——源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图1(c)所示。vGS越大，作用于半导体表面的[[电场]]就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。
开始形成沟道时的栅——源极电压称为开启电压，用VT表示。

上面讨论的N沟道MOS管在vGS<VT时，不能形成导电沟道，管子处于截止状态。只有当vGS≥VT时，才有沟道形成。这种必须在vGS≥VT时才能形成导电沟道的MOS管称为增强型MOS管。沟道形成以后，在漏——源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生。 <ref>[https://baike.baidu.com/reference/291347/4b73-x4wPmQ0zwgmQTGNJvlHo2tB0QxG3fCDrG4aB-l1LttcOZpb4JoKAYLyDFvGkzwUhrl5LL9MBgwvN-akaC4vNRYdfyIzh_c97_laRkYWBSSBw_O_qBQUxXbUB5xws-24NUHCbUtgVwyl33o  电子产品世界，引用日期2013-03-29] </ref> 

'''视频'''

'''三极管和MOS管在功能上有什么区别？'''

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==参考文献==
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