全控型器件

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全控型器件又稱為自關斷器件，是指通過控制信號既可以控制其導通，又可以控制其關斷的電力電子器件。這類器件很多，門極可關斷晶閘管，電力場效應晶體管，絕緣柵雙極晶體管均屬於此類。

與之對應的有半控型器件，即通過控制信號過可以控制其導通而不能控制其關斷的電力電子器件。這類器件主要是晶閘管（Thyristor）及其大部分派生器件。

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• 簡介
• 參考文獻

簡介

‌全控型器件是指通過控制信號既可以控制其導通，又可以控制其關斷的電力電子器件。

這類器件在電力電子領域中有着廣泛的應用，主要包括以下幾種：

‌門極可關斷晶閘管（GTO）‌：GTO是晶閘管的一種派生器件，可以通過在門極施加負脈衝使其關斷，因此屬於全控型器件。它主要用於兆瓦級以上的大功率場合，具有耐壓高、開關頻率相對較低的特點。

‌電力場效應晶體管（MOSFET）‌：MOSFET，特別是絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），頻率即高等電力特點MO，SF但ET容量，相對較低是一種，單不適宜極大功率型的場合電壓[控制1全][控3型][器件4。]。

驅動-功率‌小絕緣、柵高頻雙特性：極晶體管好（、IGBT熱）效應好、沒有二次擊穿、開關IGBT結合了MOSFET和GTR的優點，是一種電壓控制型全控型器件。它具有輸入阻抗低、驅動功率小、開關頻率高（一般可以做到50kHz）、容量大（可達4500V/1000A）等特點，主要應用在電機控制、中頻電源、開關電源等場合。

‌電力晶體管（GTR）‌：GTR也是全控型器件的一種，屬於電流控制型。它具有開關速度快、工作頻率高等特點，但相對於IGBT和MOSFET來說，其驅動功率較大。

綜上所述，全控型器件在電力電子領域中扮演着重要角色，不同類型的全控型器件各有其特點和適用場合。