砷化鎵檢視原始碼討論檢視歷史

砷化鎵(IUPAC名Gallium arsenide) 識別 CAS編號 1303-00-0 ? SMILES

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性質 化學式 GaAs 莫耳質量 144.645 g·mol⁻¹ 外觀 灰色立方晶體 密度 5.316 g/cm3[1] 熔點 1238 °C (1511 K) 溶解性（水） < 0.1 g/100 ml (20 °C) 能隙 1.424 eV300 K 電子移動率 8500 cm2/(V*s) (300 K) 熱導率 0.55 W/(cm*K) (300 K) 折光度n D 3.3 結構 晶體結構 閃鋅礦結構 空間群 T2d-F-43m 配位幾何 四面體 分子構型 直線形 危險性 歐盟危險性符號 有毒有毒 T危害環境危害環境N 警示術語 R：R23/25-R50/53 安全術語 S：S1/2-S20/21-S28-S45-S60-S61 MSDS MSDS NFPA 704 NFPA 704.svg132W 若非註明，所有數據均出自一般條件（25 ℃，100 kPa）下。 砷化鎵（化學式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半導體材料，用來製作微波積體電路[a]、紅外線發光二極體、半導體雷射器和太陽電池等元件。 GaAs化合物半導體特別適合應用於無線通信中的高頻傳輸領域，現在越來越多被應用於射頻前端器件，這是因為GaAs化合物半導體電子移動率比傳統的矽快，且具有抗干擾、低雜訊與耐高電壓、耐高溫與高頻使用等特性，在4G與5G時代有高度需求。