砷化镓查看源代码讨论查看历史

砷化镓(IUPAC名Gallium arsenide) 识别 CAS编号 1303-00-0 ? SMILES

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性质 化学式 GaAs 莫耳质量 144.645 g·mol⁻¹ 外观 灰色立方晶体 密度 5.316 g/cm3[1] 熔点 1238 °C (1511 K) 溶解性（水） < 0.1 g/100 ml (20 °C) 能隙 1.424 eV300 K 电子移动率 8500 cm2/(V*s) (300 K) 热导率 0.55 W/(cm*K) (300 K) 折光度n D 3.3 结构 晶体结构 闪锌矿结构 空间群 T2d-F-43m 配位几何 四面体 分子构型 直线形 危险性 欧盟危险性符号 有毒有毒 T危害环境危害环境N 警示术语 R：R23/25-R50/53 安全术语 S：S1/2-S20/21-S28-S45-S60-S61 MSDS MSDS NFPA 704 NFPA 704.svg132W 若非注明，所有数据均出自一般条件（25 ℃，100 kPa）下。 砷化镓（化学式：GaAs）是镓和砷两种元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半导体材料，用来制作微波积体电路[a]、红外线发光二极体、半导体雷射器和太阳电池等元件。 GaAs化合物半导体特别适合应用于无线通信中的高频传输领域，现在越来越多被应用于射频前端器件，这是因为GaAs化合物半导体电子移动率比传统的矽快，且具有抗干扰、低杂讯与耐高电压、耐高温与高频使用等特性，在4G与5G时代有高度需求。