坩堝下降法檢視原始碼討論檢視歷史
| 坩堝下降法 |
該方法的創始人是Bridgman，他於1925年發表了論文。Stockbarger又發展了他的方法。該方法也稱為B-S法。該法的特點是讓熔體在坩堝中冷卻而凝固。凝固過程雖然都是由坩堝的一端開始而逐漸擴展到整個熔體，但方式不同。坩堝可以垂直放置，熔體自下而上凝固，或自上而下凝固。一個籽晶插入熔體上部，這樣，在生長初期，晶體不與鍋壁接觸，以減少缺陷。坩堝也可以水平放置（使用「舟」形坩堝）。凝固過程中可通過移動固-液界面來完成，移動界面的方式是移動坩堝或移動加熱爐或降溫均可。
簡介
坩堝下降法又稱布里奇曼晶體生長法。一種常用的晶體生長方法。晶體生長用的材料裝在圓柱型的坩堝中，緩慢地下降，並通過一個具有一定溫度梯度的加熱爐，爐溫控制在略高於材料的熔點附近。根據材料的性質加熱器件可以選用電阻爐或高頻爐。在通過加熱區域時，坩堝中的材料被熔融，當坩堝持續下降時，坩堝底部的溫度先下降到熔點以下，並開始結晶,晶體隨坩堝下降而持續長大。這種方法常用於製備鹼金屬和鹼土金屬鹵化物和氟化物單晶。坩堝下降法一般採用自發成核生長晶體，其獲得單晶體的依據就是晶體生長中的幾何淘汰規律，在一根管狀容器底部有三個方位不同的晶核A、B、C，其生長速度因方位不同而不同。假設晶核B的最大生長速度方向與管壁平行，晶核A和C則與管壁斜交。在生長過程中，A核和C核的成長空間因受到B核的排擠而不斷縮小，在成長一段時間以後終於完全被B核所湮沒，最終只剩下取向良好的B核占據整個熔體而發展成單晶體，這一現象即為幾何淘汰規律。
評價
- 1、 由於可以把原料密封在坩堝里，減少了揮發造成的泄漏和污染，使晶體的成分容易控制。
- 2、 操作簡單，可以生長大尺寸的晶體。可生長的晶體品種也很多，且易實現程序化生長。
- 3、 由於每一個坩堝中的熔體都可以單獨成核，這樣可以在一個結晶爐中同時放入若干個坩堝，或者在一個大坩堝里放入一個多孔的柱形坩堝，每個孔都可以生長一塊晶體，而它們則共用一個圓錐底部進行幾何淘汰，這樣可以大大提高成品*率和工作效率。
缺點
- 1、 不適宜生長在冷卻時體積增大的晶體。
- 2、 由於晶體在整個生長過程中直接與坩堝接觸，往往會在晶體中引入較大的內應力和較多的雜質。
- 3、在晶體生長過程中難於直接觀察，生長周期也比較長。
- 4、若在下降法中採用籽晶法生長，如何使籽晶在高溫區既不完全熔融，又必須使它有部分熔融以進行完全生長，是一個比較難控制的技術問題。。[1]