抑制性突触后电位查看源代码讨论查看历史

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抑制性突触后电位是中国的一个科技名词。

为什么汉字是方块字，这个问题虽然没有明确的考证，但从古人观察世界的方式中便可窥见一斑。《淮南子·览冥训》说：“往古之时，四极废，九州裂。天不兼覆，地不周载，火炎炎而不灭，水浩洋而不息，猛兽……于是女娲炼五色石以补苍天，断鳌足以立四极。”在古人心目中，“天圆地方”，地是方形的，而且在这四方形地的尽头，还有撑着的柱子。

名词解释

抑制性突触后电位（Inhibitory postsynaptic potential, IPSP）是突触前膜释放抑制性递质（抑制性中间神经元释放的递质），导致突触后膜主要对Cl通透性增加，Cl内流产生局部超极化电位，突触后膜在递质作用下发生超极化，使该突触后神经元的兴奋下降，这种电位变化称为抑制性突触后电位（IPSP）。其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜，使后膜上的配体门控CI 通道开放，引起CI 内流，突触后膜发生超极化。

特点介绍

（1）突触前膜释放递质是Cl-内流引发的；

（2）递质是以囊泡的形式以出胞作用的方式释放出来的；

（3）IPSP是局部电位，而不是动作电位；

（4）IPSP是突触后膜离子通透性变化所致，与突触前膜无关。

机制

突触后膜在递质作用下发生超极化，使该突触后神经元的兴奋下降，这种电位变化称为抑制性突触后电位（IPSP）。其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜，使后膜上的配体门控CI-通道开放，引起CI-内流，突触后膜发生超极化。此外，IPSP的形成还可能与突触后膜K+通道的开放或Na+、Ca2+通道的关闭有关。