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90nm光刻机照明系统2017年4月，上海光机所自主技术研发的国内首套面向90nm节点光刻机[1]的NA0.75 ArF照明系统顺利通过了整机单位的验收测试并实现交付，实现了极限分辨率优于85nm的优异结果。
项目简介
光刻照明系统是以非成像光学为主的复杂光学系统，其中包含深紫外激光光束变换、整形与控制技术，用以解决深紫外激光的调控难题；照明光场均匀化与校正技术，采用微透镜阵列、均匀性校正板，解决高均匀性光场匀化难题；深紫外激光脉冲能量探测技术，解决单脉冲高精度能量探测难题。
这些技术将成为未来深紫外光学系统和仪器中不可或缺的关键技术。90nm光刻照明系统的研制成功，标志着上海光机所在超精密复杂非成像光学技术领域已跻身国际先进行列。
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光刻机
光刻机（Mask Aligner），又名掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等，是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备。
光刻机可以分为步进投影光刻机和扫描投影光刻机两种，主要性能指标有：支持基片的尺寸范围、分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。
发展历程
光刻机的品牌众多，根据采用不同技术路线的可以归纳成如下几类：
高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种，分辨率通常七纳米至几微米之间，高端光刻机号称世界上最精密的仪器，世界上已有1.2亿美金一台的光刻机。高端光刻机堪称现代光学工业之花，其制造难度之大，全世界只有少数几家公司能够制造。国外品牌主要以荷兰ASML（镜头来自德国），日本Nikon（intel曾经购买过Nikon的高端光刻机）和日本Canon三大品牌为主。
位于我国上海的SMEE已研制出具有自主知识产权的投影式中端光刻机，形成产品系列初步实现海内外销售。正在进行其他各系列产品的研发制作工作。
生产线和研发用的低端光刻机为接近、接触式光刻机，分辨率[2]通常在数微米以上。主要有德国SUSS、美国MYCRO NXQ4006、以及中国品牌。