位错密度
简介
在通常的晶体中都存在大量的位错，而这些位错的量就用位错密度来表示。位错密度定义为单位体积晶体中所含的位错线的总长度。位错密度的另一个定义是：穿过单位截面积的位错线数目，单位也是1/平方厘米。1对金属材料来说，位错密度对材料的韧性，强度等有影响。2位错密度越大，材料强度越大，延性越不好。3位错密度取决于材料变性率的大小。在高形变率荷载下，位错密度持续增大，因为高应变率下材料的动态回复与位错攀岩被限制，因而位错密度增大，材料强度增大，可以等同于降低材料温度。1.由于位错是已滑移区和未滑移区的边界，所以位错线不能中止在品体内部，而只能中止在晶体的表面或晶界上。2.在品体内部，位错线一定是封闭的，或者自身封闭成一个位错圈，或者构成三维位错网。
评价
直拉法生长的空间太阳能电池用锗单晶中位错密度的影响因素有:1.籽晶中位错延伸对晶体中位错密度的影响 ;2.温度梯度对位错密度的影响 ;3.固液界面形状对位错密度的影响 ;4.机械因素对位错密度的影响 通过 d a s h 技术排除籽晶中位错的影响; 通过调整晶体 所处的热场 ( 改变埚位和保温筒高度 ) 、 改变熔体中轴向负温度梯度的状况 ( 增加坩埚杆的保温效果和开双加热器 ) 和通过设计出轴向温度梯度为线性温度梯度径向温度梯度较小的热 场来减小温度梯度对位错密度的影响 ; 通过调整固液界面形 状 ( 改变拉速 、 埚 转和晶转 ) 来改善由于固液界面形状不佳带来的位错增值现象 。通过上述措施可以基本消除单晶中位错排 、 位错堆以及小角晶界 , 得到低位错密度的单晶。[1]