反向電流
簡介
對於二極管反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有着密切的關係，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為250μA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500μA，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達8mA，不僅失去了單方向導電特性，還會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時反向電流僅為5μA，溫度升高到75℃時，反向電流也不過160μA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩定性。 它的符號是I(下標R)。
評價
當晶體管的發射極開路時，在集電結反向電壓的作用下，基區的少子自由電子和集電區的少子空穴會形成漂移電流，即為集電極與基極之間的反向飽和電流Icbo，也稱集電結反向漏電電流。Icbo對溫度較敏感，該值越小，說明晶體管的溫度特性越好。[1]