反向电流
简介
对于二极管反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250μA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500μA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流仅为5μA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 它的符号是I(下标R)。
评价
当晶体管的发射极开路时,在集电结反向电压的作用下,基区的少子自由电子和集电区的少子空穴会形成漂移电流,即为集电极与基极之间的反向饱和电流Icbo,也称集电结反向漏电电流。Icbo对温度较敏感,该值越小,说明晶体管的温度特性越好。[1]