孫仲

孫仲 北京大學集成電路學院

孫仲，男，北京大學集成電路學院研究員。

目錄

人物履歷

教育及工作經歷

2020年至今，北京大學，研究員，北大博雅青年學者，國家高層次青年人才

2016 – 2020，米蘭理工大學，博士後

2011 – 2016，清華大學，獲博士學位

2007 – 2011，南開大學，獲學士學位

研究簡介

長期從事阻變存儲器及新型計算範式研究，相關論文發表在PNAS、Science Advances、Nature Communications、IEEE TCAS-I/II等期刊，曾獲意大利知識產權一等獎。

研究興趣

模擬矩陣計算，包括基本矩陣計算單元設計、模擬電路與模擬計算理論，及面向機器學習、科學計算、無線通信等領域的應用；

基於阻變動力學的神經網絡模型，包括阻變存儲器電路的動力學特性與應用、吸引子網絡理論與算法；

新原理阻變器件，包括器件的創新設計與優化、器件的精準寫入機制設計等方面，實現高性能器件與陣列的製備。

本課題組擬每年招收1-2名博士生，面向微電子、電子、物理、通信等專業的學生招收。常年招聘博士後，待遇從優。同時歡迎本科生年輕朋友加入團隊一起工作！

學術成果

論文

• Z. Sun, G. Pedretti, E. Ambrosi, A. Bricalli, W. Wang, D. Ielmini, Solving matrix equations in one step with cross-point resistive arrays. Proc. Natl Acad. Sci. USA 2019, 116, 4123-4128.
• Z. Sun, G. Pedretti, A. Bricalli, D. Ielmini, One-step regression and classification with crosspoint resistive-memory arrays. Sci. Adv. 2020, 6, eaay2378.
• Z. Sun, G. Pedretti, E. Ambrosi, A. Bricalli, D. Ielmini, In-memory PageRank accelerator with a crosspoint array of resistive memories. IEEE Trans. Electron Devices 2020, 67, 1466-1470.
• Z. Sun, G. Pedretti, E. Ambrosi, A. Bricalli, D. Ielmini, Time complexity of in-memory solution of linear systems. IEEE Trans. Electron Devices 2020, 67, 2945-2951.
• Z. Sun, G. Pedretti, E. Ambrosi, A. Bricalli, D. Ielmini, In-memory eigenvector computation in time O(1). Adv. Intell. Syst. 2020, 2, 2000042.
• Z. Sun, R. Huang, Time complexity of in-memory matrix-vector multiplication. IEEE Trans. Circuits Syst. II, Exp. Brief 2021, 68, 2785-2789.
• S. Wang, Z. Sun, Y. Liu, S. Bao, Y. Cai, D. Ielmini, R. Huang. Optimization Schemes for In-Memory Linear Regression Circuit With Memristor Arrays. IEEE Trans. Circuits Syst. I Regul. Pap. 2021, 68, 4900-4909.
• Z. Sun, E. Ambrosi, A. Bricalli, D. Ielmini, Logic computing with stateful neural networks of resistive switches. Adv. Mater. 2018, 30, 1802554.
• Z. Sun, Y. G. Zhao, M. He, L. Gu, C. Ma, K. J. Jin, D. Y. Zhao, N. N. Luo, Q. H. Zhang, N. Wang, W. H. Duan, C. W. Nan, Deterministic role of concentration surplus of cation vacancy over anion vacancy in bipolar memristive NiO. ACS Appl. Mater. Interfaces 2016, 8, 11583.
• W. Wang, M. Wang, E. Ambrosi, A. Bricalli, M. Laudato, Z. Sun, X. Chen, D. Ielmini, Surface diffusion-limited lifetime of silver and copper nanofilaments in resistive switching devices. Nat. Commun. 2019, 10, 81.