孙仲

孙仲 北京大学集成电路学院

孙仲，男，北京大学集成电路学院研究员。

目录

人物履历

教育及工作经历

2020年至今，北京大学，研究员，北大博雅青年学者，国家高层次青年人才

2016 – 2020，米兰理工大学，博士后

2011 – 2016，清华大学，获博士学位

2007 – 2011，南开大学，获学士学位

研究简介

长期从事阻变存储器及新型计算范式研究，相关论文发表在PNAS、Science Advances、Nature Communications、IEEE TCAS-I/II等期刊，曾获意大利知识产权一等奖。

研究兴趣

模拟矩阵计算，包括基本矩阵计算单元设计、模拟电路与模拟计算理论，及面向机器学习、科学计算、无线通信等领域的应用；

基于阻变动力学的神经网络模型，包括阻变存储器电路的动力学特性与应用、吸引子网络理论与算法；

新原理阻变器件，包括器件的创新设计与优化、器件的精准写入机制设计等方面，实现高性能器件与阵列的制备。

本课题组拟每年招收1-2名博士生，面向微电子、电子、物理、通信等专业的学生招收。常年招聘博士后，待遇从优。同时欢迎本科生年轻朋友加入团队一起工作！

学术成果

论文

• Z. Sun, G. Pedretti, E. Ambrosi, A. Bricalli, W. Wang, D. Ielmini, Solving matrix equations in one step with cross-point resistive arrays. Proc. Natl Acad. Sci. USA 2019, 116, 4123-4128.
• Z. Sun, G. Pedretti, A. Bricalli, D. Ielmini, One-step regression and classification with crosspoint resistive-memory arrays. Sci. Adv. 2020, 6, eaay2378.
• Z. Sun, G. Pedretti, E. Ambrosi, A. Bricalli, D. Ielmini, In-memory PageRank accelerator with a crosspoint array of resistive memories. IEEE Trans. Electron Devices 2020, 67, 1466-1470.
• Z. Sun, G. Pedretti, E. Ambrosi, A. Bricalli, D. Ielmini, Time complexity of in-memory solution of linear systems. IEEE Trans. Electron Devices 2020, 67, 2945-2951.
• Z. Sun, G. Pedretti, E. Ambrosi, A. Bricalli, D. Ielmini, In-memory eigenvector computation in time O(1). Adv. Intell. Syst. 2020, 2, 2000042.
• Z. Sun, R. Huang, Time complexity of in-memory matrix-vector multiplication. IEEE Trans. Circuits Syst. II, Exp. Brief 2021, 68, 2785-2789.
• S. Wang, Z. Sun, Y. Liu, S. Bao, Y. Cai, D. Ielmini, R. Huang. Optimization Schemes for In-Memory Linear Regression Circuit With Memristor Arrays. IEEE Trans. Circuits Syst. I Regul. Pap. 2021, 68, 4900-4909.
• Z. Sun, E. Ambrosi, A. Bricalli, D. Ielmini, Logic computing with stateful neural networks of resistive switches. Adv. Mater. 2018, 30, 1802554.
• Z. Sun, Y. G. Zhao, M. He, L. Gu, C. Ma, K. J. Jin, D. Y. Zhao, N. N. Luo, Q. H. Zhang, N. Wang, W. H. Duan, C. W. Nan, Deterministic role of concentration surplus of cation vacancy over anion vacancy in bipolar memristive NiO. ACS Appl. Mater. Interfaces 2016, 8, 11583.
• W. Wang, M. Wang, E. Ambrosi, A. Bricalli, M. Laudato, Z. Sun, X. Chen, D. Ielmini, Surface diffusion-limited lifetime of silver and copper nanofilaments in resistive switching devices. Nat. Commun. 2019, 10, 81.