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抑制性突觸後電位

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抑制性突觸後電位是中國的一個科技名詞。

為什麼漢字是方塊字,這個問題雖然沒有明確的考證,但從古人觀察世界的方式中便可窺見一斑。《淮南子·覽冥訓[1]》說:「往古之時,四極廢,九州裂。天不兼覆,地不周載,火炎炎而不滅,水浩洋而不息,猛獸……於是女媧煉五色石以補蒼天,斷鰲足以立四極。」在古人心目中,「天圓地方[2]」,地是方形的,而且在這四方形地的盡頭,還有撐着的柱子。

目錄

名詞解釋

抑制性突觸後電位(Inhibitory postsynaptic potential, IPSP)是突觸前膜釋放抑制性遞質(抑制性中間神經元釋放的遞質),導致突觸後膜主要對Cl通透性增加,Cl內流產生局部超極化電位,突觸後膜在遞質作用下發生超極化,使該突觸後神經元的興奮下降,這種電位變化稱為抑制性突觸後電位(IPSP)。其產生機制為抑制性遞質作用於突觸後膜,使後膜上的配體門控CI 通道開放,引起CI 內流,突觸後膜發生超極化。

特點介紹

(1)突觸前膜釋放遞質是Cl-內流引發的;

(2)遞質是以囊泡的形式以出胞作用的方式釋放出來的;

(3)IPSP是局部電位,而不是動作電位;

(4)IPSP是突觸後膜離子通透性變化所致,與突觸前膜無關。

機制

突觸後膜在遞質作用下發生超極化,使該突觸後神經元的興奮下降,這種電位變化稱為抑制性突觸後電位(IPSP)。其產生機制為抑制性遞質作用於突觸後膜,使後膜上的配體門控CI-通道開放,引起CI-內流,突觸後膜發生超極化。此外,IPSP的形成還可能與突觸後膜K+通道的開放或Na+、Ca2+通道的關閉有關。

參考文獻