抑制性突觸後電位

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抑制性突觸後電位是中國的一個科技名詞。

為什麼漢字是方塊字，這個問題雖然沒有明確的考證，但從古人觀察世界的方式中便可窺見一斑。《淮南子·覽冥訓》說：「往古之時，四極廢，九州裂。天不兼覆，地不周載，火炎炎而不滅，水浩洋而不息，猛獸……於是女媧煉五色石以補蒼天，斷鰲足以立四極。」在古人心目中，「天圓地方」，地是方形的，而且在這四方形地的盡頭，還有撐着的柱子。

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名詞解釋

抑制性突觸後電位（Inhibitory postsynaptic potential, IPSP）是突觸前膜釋放抑制性遞質（抑制性中間神經元釋放的遞質），導致突觸後膜主要對Cl通透性增加，Cl內流產生局部超極化電位，突觸後膜在遞質作用下發生超極化，使該突觸後神經元的興奮下降，這種電位變化稱為抑制性突觸後電位（IPSP）。其產生機制為抑制性遞質作用於突觸後膜，使後膜上的配體門控CI 通道開放，引起CI 內流，突觸後膜發生超極化。

特點介紹

（1）突觸前膜釋放遞質是Cl-內流引發的；

（2）遞質是以囊泡的形式以出胞作用的方式釋放出來的；

（3）IPSP是局部電位，而不是動作電位；

（4）IPSP是突觸後膜離子通透性變化所致，與突觸前膜無關。

機制

突觸後膜在遞質作用下發生超極化，使該突觸後神經元的興奮下降，這種電位變化稱為抑制性突觸後電位（IPSP）。其產生機制為抑制性遞質作用於突觸後膜，使後膜上的配體門控CI-通道開放，引起CI-內流，突觸後膜發生超極化。此外，IPSP的形成還可能與突觸後膜K+通道的開放或Na+、Ca2+通道的關閉有關。