晶格能
| 晶格能 |
晶格能是指在標準狀況下，使離子晶體變成氣態正離子和氣態負離子時所吸收的能量，它是度量晶格穩定性的參數。影響晶格能大小的因素有離子半徑、離子電荷以及離子的電子層構型等.電荷高、半徑小的離子，其晶格能大。
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簡介
晶格能也可以說是破壞1mol晶體，使它變成完全分離的氣態自由離子所需要消耗的能量（H為正）。標準狀況下，拆開單位物質的量的離子晶體使其變為氣態組分離子所需吸收的能量，稱為離子晶體的晶格能。式中NA是阿伏伽德羅常數，Z是離子價數，r0是一對離子間的平均距離，M是跟晶格類型有關的馬德隆常數，ε0是真空電容率（8.85419×10-12庫-2·牛-1·米-2），n為伯恩常數，它的值可取5~12。例如，氯化鈉晶體的Z+=Z-=1，r0=2.814×10-10m，M=1.7476，n=8，代入上述公式可得U=755kJ/mol。
評價
傳統的氧化物基餘輝材料由於其良好的化學穩定性和較長的餘輝衰減時間，已經在商業應用方面取得了較大的成功。氧化物存在的問題是晶格能較高，通常需要在較高溫條件下（＞1000 ℃）來合成，會造成較大的能源消耗和安全風險。相比而言，鹵化物鈣鈦礦晶格能很低，在室溫下就能結晶。儘管如此，具有長餘輝性能的鹵化物鈣鈦礦晶體還尚未開發首先作者通過簡單的水熱反應在180℃條件下通過緩慢冷卻結晶法生長出了氯化物雙鈣鈦礦單晶（Cs2NaxAg1-xInCl6:y%Mn）。通過Na+和Mn2+共摻雜策略，在254 nm和365 nm的激發下，分別觀察到了來自錳離子的紅光發射和鈉離子導致的自陷態的橙光發射。令人驚奇的是，當停止激發後共摻晶體顯示出紅色長餘輝現象，持續時間長達2分鐘（肉眼可見）。[1]