雜質光電子
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雜質光電子是指在電磁輻射作用下半導體電導率改變。在光照下可動載流子電荷濃度增加而引起的電導率增加。對本徵半導體，價帶電子吸收光子而躍遷到導帶，使導帶電子數和價帶空穴數都增加，由此增加了半導體的電導率。
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簡介
在光照下可動載流子電荷濃度增加而引起的電導率增加。對本徵半導體，價帶電子吸收光子而躍遷到導帶，使導帶電子數和價帶空穴數都增加，由此增加了半導體的電導率，這叫本徵光電導。對於摻雜半導體，電子可以從禁帶中的施主束縛態激發到導帶而產生電子導電;也可以是價帶電子激發到禁帶中的受主態而增加了價帶中的空穴而產生空穴導電，這兩種統稱雜質光電導。實際上三種激發過程都存在，只是對一種半導體材料以一種激發機制為主。利用光電導性可做成光敏電阻、光導二極管和光晶體管等。利用半導體光-電子（或電-光子）轉換效應製成的各種功能器件。它不同於半導體光器件（如光波導開關、光調製器、光偏轉器等）。光器件的設計原理是依據外場對導波光傳播方式的改變，它也有別於早期人們襲用的光電器件。後者只是着眼於光能量的接收和轉換（如光敏電阻、光電池等）。
評價
雜誌光電導探測器通常在低溫下工作，因為一般淺雜質其電離能很小，很容易熱激發產生熱載流子，從而形成暗電流，影響器件性能。所以應在低溫下工作，儘量減少熱激發金屬表面在光輻照作用下發射電子的效應統稱為光電效應，發射出來的電子叫做光電子。[1]