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梁骏吾 (1933.9.18-- )湖北省武汉市人。 半导体材料专家[1]中国工程院院士[2]。1955年毕业于武汉大学,1960年获原苏联科学院冶金研究所副博士学位。中国科学院半导体研究所研究员。持“七五”、“八五”重点硅外延攻关,完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长和设备的研究。获国家科委科技成果二等奖一次[3]、中国科学院科技进步奖一等奖1次、中国科学院重大成果一等奖两次,以及其它国家部级奖励多次[4]

梁骏吾
中国工程院院士
出生 1933年9月18日
湖北省武汉市黄陂
国籍 中国
职业 研究员

1997年当选为中国工程院院士。

目录

个人简历

梁骏吾 (1933.9.18--) 半导体材料专家。湖北省武汉市人。1955年毕业于武汉大学,1960年获原苏联科学院冶金研究所副博士学位。中国科学院半导体研究所研究员。60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶,解决了硅片的完整性和均匀性的问题。90年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料,在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面,将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平。主持“七五”、“八五”重点硅外延攻关,完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长和设备的研究。获国家科委科技成果二等奖一次、中国科学院科技进步奖一等奖1次、中国科学院重大成果一等奖两次,以及其它国家部级奖励多次。 1997年当选为中国工程院院士。

工作履历

1960-1969,半导体研究所,副室主任;助研

1970-1978,湖北宜昌半导体厂,助理研究员

1978-,半导体研究所,研究员

2011-受聘哈工大合约教授

1984-,中国电子学会电子材料分会,副主任委员

1991-,中国材料研究学会,理事

1985-,中国电子学会,会士

个人其它信息

专业领域

梁骏吾
梁骏吾院士

半导体材料

研究成就:

1978-1980,解决VLSI用硅单晶,主持

1983-1988,首创掺氮中子单晶,主持

1985-1995,硅外延材料制备,主持

1990-1994,生长超晶格量子阱材料,主持

获奖:

1964,高纯区溶硅单晶,国家科学技术委员会,科学技术成果奖,二等

1980,16K位MOS动态随机存储器,中国科学院,科学技术成果奖,一等

1988,掺氮中子嬗变硅单晶,中国科学院,科学技术进步奖,一等

1985,LPE GaAlAs/GaAs异质结构缺陷研究,晶体生长杂志,

1990,半导体,化工出版社,

1991,水平式外延系统的计算机模拟,电子学报19,30,

成果

1、减压薄层硅外延片

参考来源