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梁駿吾 (1933.9.18-- )湖北省武漢市人。 半導體材料專家[1]中國工程院院士[2]。1955年畢業於武漢大學,1960年獲原蘇聯科學院冶金研究所副博士學位。中國科學院半導體研究所研究員。持「七五」、「八五」重點硅外延攻關,完成了微機控制、光加熱、低壓硅外延材料生長和設備的研究。獲國家科委科技成果二等獎一次[3]、中國科學院科技進步獎一等獎1次、中國科學院重大成果一等獎兩次,以及其它國家部級獎勵多次[4]

梁駿吾
中國工程院院士
出生 1933年9月18日
湖北省武漢市黃陂
國籍 中國
職業 研究員

1997年當選為中國工程院院士。

目錄

個人簡歷

梁駿吾 (1933.9.18--) 半導體材料專家。湖北省武漢市人。1955年畢業於武漢大學,1960年獲原蘇聯科學院冶金研究所副博士學位。中國科學院半導體研究所研究員。60年代解決了高純區熔硅的關鍵技術。1964年製備出室溫激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研製成功為大規模集成電路用的無位錯、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優質硅區熔單晶。80年代首創了摻氮中子嬗變硅單晶,解決了硅片的完整性和均勻性的問題。90年代初研究MOCVD生長超晶格量子阱材料,在晶體完整性、電學性能和超晶格結構控制方面,將中國超晶格量子阱材料推進到實用水平。主持「七五」、「八五」重點硅外延攻關,完成了微機控制、光加熱、低壓硅外延材料生長和設備的研究。獲國家科委科技成果二等獎一次、中國科學院科技進步獎一等獎1次、中國科學院重大成果一等獎兩次,以及其它國家部級獎勵多次。 1997年當選為中國工程院院士。

工作履歷

1960-1969,半導體研究所,副室主任;助研

1970-1978,湖北宜昌半導體廠,助理研究員

1978-,半導體研究所,研究員

2011-受聘哈工大合約教授

1984-,中國電子學會電子材料分會,副主任委員

1991-,中國材料研究學會,理事

1985-,中國電子學會,會士

個人其它信息

專業領域

梁駿吾
梁駿吾院士

半導體材料

研究成就:

1978-1980,解決VLSI用硅單晶,主持

1983-1988,首創摻氮中子單晶,主持

1985-1995,硅外延材料製備,主持

1990-1994,生長超晶格量子阱材料,主持

獲獎:

1964,高純區溶硅單晶,國家科學技術委員會,科學技術成果獎,二等

1980,16K位MOS動態隨機存儲器,中國科學院,科學技術成果獎,一等

1988,摻氮中子嬗變硅單晶,中國科學院,科學技術進步獎,一等

1985,LPE GaAlAs/GaAs異質結構缺陷研究,晶體生長雜誌,

1990,半導體,化工出版社,

1991,水平式外延系統的計算機模擬,電子學報19,30,

成果

1、減壓薄層硅外延片

參考來源