梁駿吾
梁駿吾 (1933.9.18-- )湖北省武漢市人。 半導體材料專家[1]。中國工程院院士[2]。1955年畢業於武漢大學，1960年獲原蘇聯科學院冶金研究所副博士學位。中國科學院半導體研究所研究員。持「七五」、「八五」重點硅外延攻關，完成了微機控制、光加熱、低壓硅外延材料生長和設備的研究。獲國家科委科技成果二等獎一次[3]、中國科學院科技進步獎一等獎1次、中國科學院重大成果一等獎兩次，以及其它國家部級獎勵多次[4]。
| 梁駿吾 | |
|---|---|
|
中國工程院院士 | |
| 出生 |
1933年9月18日 湖北省武漢市黃陂 |
| 國籍 | 中國 |
| 職業 | 研究員 |
1997年當選為中國工程院院士。
目錄
個人簡歷
梁駿吾 （1933.9.18--) 半導體材料專家。湖北省武漢市人。1955年畢業於武漢大學，1960年獲原蘇聯科學院冶金研究所副博士學位。中國科學院半導體研究所研究員。60年代解決了高純區熔硅的關鍵技術。1964年製備出室溫激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研製成功為大規模集成電路用的無位錯、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優質硅區熔單晶。80年代首創了摻氮中子嬗變硅單晶，解決了硅片的完整性和均勻性的問題。90年代初研究MOCVD生長超晶格量子阱材料，在晶體完整性、電學性能和超晶格結構控制方面，將中國超晶格量子阱材料推進到實用水平。主持「七五」、「八五」重點硅外延攻關，完成了微機控制、光加熱、低壓硅外延材料生長和設備的研究。獲國家科委科技成果二等獎一次、中國科學院科技進步獎一等獎1次、中國科學院重大成果一等獎兩次，以及其它國家部級獎勵多次。 1997年當選為中國工程院院士。
工作履歷
1960-1969，半導體研究所，副室主任；助研
1970-1978，湖北宜昌半導體廠，助理研究員
1978-，半導體研究所，研究員
2011-受聘哈工大合約教授
1984-，中國電子學會電子材料分會，副主任委員
1991-，中國材料研究學會，理事
1985-，中國電子學會，會士
個人其它信息
專業領域
| 梁駿吾 | |
|---|---|
|
梁駿吾院士 |
半導體材料
研究成就：
1978-1980，解決VLSI用硅單晶，主持
1983-1988，首創摻氮中子單晶，主持
1985-1995，硅外延材料製備，主持
1990-1994，生長超晶格量子阱材料，主持
獲獎：
1964，高純區溶硅單晶，國家科學技術委員會，科學技術成果獎，二等
1980,16K位MOS動態隨機存儲器，中國科學院，科學技術成果獎，一等
1988，摻氮中子嬗變硅單晶，中國科學院，科學技術進步獎，一等
1985,LPE GaAlAs/GaAs異質結構缺陷研究，晶體生長雜誌，
1990，半導體，化工出版社，
1991，水平式外延系統的計算機模擬，電子學報19,30,
成果
1、減壓薄層硅外延片