王占國

半導體材料物理學家。河南省鎮平人。1962年畢業於南開大學物理系。中國科學院半導體所研究員。1995年當選為中國科學院院士。

早期致力於半導體材料光電性質和硅太陽電池輻照效應研究。

從1980年起，主要從事半導體深能級物理和光譜物理研究，提出了識別兩個深能級共存系統兩者是否是同—缺陷不同能態的新方法，解決了國際上對GaAs中A、B能級和硅中金受主及金施主能級本質的長期爭論。提出混晶半導體中深能級展寬和光譜譜線分裂的物理模型，解釋了它們的物理起因。提出了GaAs電學補償五能級模型和電學補償新判據。協助林蘭英先生，首次在太空從熔體中生長了GaAs單品並對其光電性質作了系統研究。近年來，他領導的實驗組又在應變自組裝In(Ga)As／GaAs，In(Ga)As／InAlAs／InP等量子點(線)．與量子點(線)超晶格材料生長和大功率量子點激光器研製方面獲得突破。最近，他又提出了柔性襯底的概念，開拓了大失配材料體系研製的新方向。