鄭耀宗

微電子學專家。1939年2月9日生於香港，籍貫廣東中山。1963年畢業於香港大學，獲理學士學位。1967年獲加拿大卑詩大學博士學位。曾任香港大學校長。1999年當選為中國科學院院士。 　　長期以來對金屬－氧化硅－硅（MOS）系統及其器件物理和工藝技術進行了系統研究。發明了摻氯化氫硅氧化技術，解決了當時MOS器件和集成電路閾值電壓漂移、不能穩定工作的難題，使MOS器件和電路的性能、可靠性和成品率大大提高。在國際上首先提出了MOS反型層載流子表面粗糙度散射理論，在MOS集成電路進入深亞微米階段後，這一機理已成為決定MOS反型層載流子遷移率的主要因素，這是對MOS器件物理的一大發展。是較早開展氮化硅技術的研究者之一。在深亞微米器件模型研究工作中取得重要成果。