陈建新
简介
曾先后任职于中国科学院上海冶金研究所、瑞士联邦工学院、朗讯公司贝尔实验室和普林斯顿大学等科研机构。曾获国家科技进步三等奖1项，院科技进步三等奖2项，二等奖1项，上海市科技进步三等奖1项，2007年4至2009年9月，在普林斯顿大学工作期间，用分子束外延技术成功实现中红外负折射率材料并首次实现面发射量子级联激光器。2008年12月入选中组部首批"千人计划"。2009年10月，全职回国到所工作，目前主要从事新型红外材料-超晶格探测器材料的研究。现任中国科学院上海技术物理研究所研究员。
科研经历
1995年7月获中科院上海微系统与信息技术研究所半导体物理与器件物理专业博士学位。1995年8月-2000年6月在中科院上海微系统与信息技术研究所工作，任助理研究员，副研究员和研究员(98年)。在此工作期间，于1998年成功地研制出量子级联激光器材料，这在当时只有2~3世界顶尖实验室才能做到。2001年11月-2007年3月，在美国新泽西Bell实验室工作，任半导体物理实验室研究员(Member of Technical Staff)。在此期间，系统地研究了量子级联激光器的材料特性。首次在实验上证实量子级联激光器波导损耗与电子迁移率的依赖关系;并揭示了在不同能级位置的电子深能级对带间跃迁和子带跃迁有着不同的影响及其温度效应，成功地实现连续模式工作温度达到320K的高性能量子级联激光器。从2004年起，转入高速电子器件的研制。在自行研制化学束外延设备上，成功地发展了一套在离子注入磷化铟衬底上生长具器件质量双异结晶体管(HBT)的技术，电路的工作频率达到130GHz以上。07年4至09年9月，在普林斯顿大学工作，任研究员。创建分子束外延中红外材料实验室，用分子束外延技术成功实现中红外负折射率材料并首次实现面发射量子级联激光器。09年10月被聘为上海技术物理研究所研究所研究员。正在建立III-V族分子束外延实验室，建立研究团队，发展应变超晶格结构的红外探测与成像材料。[1]
学术成就
于1998年成功地研制出量子级联激光器材料，这在当时只有2~3世界顶尖实验室才能做到。
于2001年11月-2007年3月间，首次在实验上证实量子级联激光器波导损耗与电子迁移率的依赖关系;并揭示了在不同能级位置的电子深能级对带间跃迁和子带跃迁有着不同的影响及其温度效应，成功地实现连续模式工作温度达到320K的高性能量子级联激光器。[2]
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