陶瓷基片
简介
随着微电子技术的进步，微加工工艺的特征线宽已达亚微米级，一块基板上可以集成106~109个以上元件，电路工作的速度越来越快、频率越来越高，这对基板材料的性能提出了更高的要求。作为混合集成电路(HIC)和多芯片组件(MCM)的关键材料之一，基板占其总成本的60%左右。陶瓷基板发展的总方向是低介电常数、高热导率和低成本化。目前，实际生产和开发应用的陶瓷基片材料有Al2O3、AlN、SiC、BeO、BN、莫来石和玻璃陶瓷等。其中，BeO和SiC热导率很高(³250W/m.K)，但BeO因具有毒性，应用范围小，故产量低;SiC因体积电阻较小(<1013W·cm)、介电常数较大(40)、介电损耗较高(50)，不利于信号的传输，且成型工艺复杂、设备昂贵，故应用范围也很小;AlN陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片，具有很高的热导率(理论值为319W/m.K，商品化的AlN基片热导率大于140W/m.k)、较低的介电常数(8.8)和介电损耗(~4×104)、以及和硅相配比的热膨胀系数(4.4×10-4/℃)等优点，但由于成本居高，一直没能大规模应用;Al2O3陶瓷基片虽然热导率不高(20W/m.K)，但因其生产工艺相对简单，成本较低，价格便宜，成为目前最广泛应用的陶瓷基片。
评价
高精密电子陶瓷流延机，先把粉碎好的粉料与粘结剂、增塑剂、分散剂、溶剂混合制成具有一定黏度的料浆，料浆从料斗流下，被刮刀以一定厚度刮压涂敷在专用基带上，经干燥、固化后从上剥下成为生坯带的薄膜，然后根据成品的尺寸和形状需要对生坯带作冲切、层合等加工处理，制成待烧结的毛坯成品，具有耐高温、电绝缘性能高、介电常数和介质损耗低、热导率大、化学稳定性好、与元件的热膨胀系数相近等主要优点。工艺所需设备包含真空脱泡机，流延机，印刷机，等静压机，烧结炉等等。[1]