CMOS工藝
工藝
CMOS電路中既包含NMOS晶體管也包含PMOS晶體管，NMOS晶體管是做在P型硅襯底上的，而PMOS晶體管是做 在N型硅襯底上的，要將兩種晶體管都做在同一個硅襯底上，就需要在硅襯底上製作一塊反型區域，該區域被稱為「阱」。根據阱的不同，CMOS工藝分為P阱CMOS工藝、N阱CMOS工藝以及雙阱CMOS工藝。其中N阱CMOS工藝由於工藝簡單、電路性能較P阱CMOS工藝更優，從而獲得廣泛的應用。 [1]
概況
CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎上發展起來的。CMOS中的C表示「互補」，即將NMOS器件和PMOS器件同時製作在同一硅襯底上，製作CMOS集成電路。
優勢
CMOS集成電路具有功耗低、速度快、抗干擾能力強、集成度高等眾多優點。CMOS工藝已成為當前大規模集 成電路的主流工藝技術，絕大部分集成電路都是用CMOS工藝製造的。 [2]