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图像标题	transistors different type on a white background
相机制造商	NIKON CORPORATION
相机型号	NIKON D7100
曝光时间	1/160秒（0.00625）
光圈值	f/20
感光度（ISO）	250
数据生成日期时间	2015年7月18日 (六) 18:51
焦距	60 mm
宽度	4,151 px
高度	2,999 px
每像素字节数	16 16 16
压缩方案	未压缩
像素构成	RGB
方位	标准
像素数	3
水平分辨率	300 dpi
垂直分辨率	300 dpi
数据排列	矮胖格式
使用软件	Adobe Photoshop CS5 Windows
文件修改日期时间	2015年7月23日 (四) 21:50
曝光程序	手动
Exif版本	2.3
数字化日期时间	2015年7月18日 (六) 18:51
APEX快门速度	7.321928
APEX光圈	8.643856
曝光补偿	0
最大陆地光圈	3.2 APEX (f/3.03)
测光模式	模式
光源	闪光灯
闪光灯	闪光灯未点亮、闪光灯强制关闭
数据生成时间厘秒数	90
数字化时间厘秒数	90
色彩空间	无标定
焦平面X分辨率	2,558.641204834
焦平面Y分辨率	2,558.641204834
焦平面分辨率单位	3
感光模式	一块彩色区域传感器
文件源	数码相机
场景类型	直接照像图片
图像处理	标准处理
曝光模式	手动曝光
白平衡	手动白平衡
数字变焦比率	1
35 mm胶片焦距	90 mm
场景模式	标准
场景控制	无
对比度	标准
饱和度	标准
锐化	标准
主体距离范围	未知
相机序列号	4360735
使用的镜头	60.0 mm f/2.8
原始数据最后修改日期	2015年7月24日 (五) 00:50
原始文件唯一ID	3FA8B8A1852CC8D0BD17E7BD413E7E3C
简称	transistors
关键词	transistorized power transistor solid p-channel chips gate fet state engineering nanoelectronics voltage pins circuit technology n-channel silicon igbt bjt mosfet electrical research pnp nanotechnology diodes computers solid-state germanium npn solid state electronic jfet device triode amplify component switch semiconductor igfet
IIM 版本	4