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-{H|zh-hant:快捷半导体;zh-hans:仙童半导体;zh-hk:飞兆半导体;zh-sg:飞兆半导体;}-
[[Image:ShockleyBldg.jpg|right|thumb|300px|原来的肖克利大楼位于加州山景市圣安东尼奥路391号，在2006年时是一个街头市集。]]
'''肖克利半导体实验室'''（{{lang-en|'''Shockley Semiconductor Laboratory'''}}），是{{tsl|en|Beckman Instruments|贝克曼仪器公司}}的一个部门， 是第一个为经营製造半导体装置所设立的机构，后来发展演变为众所周知的[[硅谷]]。1957年时，8位顶尖的科学家离开了实验室，成立[[快捷半导体]]公司，造成实验室无法弥补的损失。实验室在1960年时被{{tsl|en|Clevite|克利维特公司}}买下，在1968年被卖到[[ITT公司]]后正式关闭。离开公司的工程师们依旧留在这个地区从事同样的工作；很快的，在[[旧金山湾区]]建立起完整的工业。
==肖克利回到加州==
[[威廉·肖克利]]在[[加州理工学院]]完成攻读他的学士学位后，移居到东部在[[麻省理工学院]]取得了博士学位 。1936年毕业后立刻开始在[[贝尔实验室]]工作。从1930年代到1940年代，他从事电子装置工作并致力于半导体材料。这促使了1947年他与工作伙伴：[[约翰·巴丁]]、[[沃尔特·布喇顿]]，还有其他人，创造出第一个[[电晶体]]。从1950年代早期，一连串的事件使得肖克利对于贝尔实验室的管理方式逐渐不适应，特别是在电晶体的专利上，贝尔实验室将巴丁及布喇顿的名字列在他的前面，让他感觉受到忽视。然而，众多因素之一是，与他一起工作的人，提出对肖克利不近人情管理方式的建议，这个原因使他常常在公司内部晋升上遭到略过。这些因素严重到令他在1953年时，取得短暂的工作假期并且回到加州理工学院担任客座教授。
在这裡肖克利遇见了在1934年发明[[pH计|pH测量计]]的{{tsl|en|Arnold Orville Beckman|阿诺德·奥维尔·贝克曼}}并建立友谊。在此期间，肖克利确信了[[硅]]的自然特性终将取代[[锗]]而成为电晶体结构中的主要材料。[[德州仪器]]已在近期开始生产硅电晶体(于1954年)，然而肖克利认为他可以做一个更好的。贝克曼同意肖克利在他的公司，{{tsl|en|Beckman Instruments|贝克曼仪器公司}}，的保护伞下，在这个地区继续努力旧有的工作。可是，肖克利的母亲再次并且常常生病，于是他决定住在离他母亲位于[[帕罗奥图 (加利福尼亚州)|帕罗奥图]]房子的附近。
1956年在靠近[[山景城]]附近，肖克利半导体实验室开办小型商店事业。初期他尝试从贝尔实验室雇用与他同类型的工作者，但是没有人想离开东岸，而且还是最高科技的研究中心。取而代之的是，他组织了一个年轻科学家与工程师的团队，并且订定关于设计可以用来生产{{tsl|en|Boule (crystal)|单晶硅棒}}的新型长晶系统的计划。于此同时，硅的高熔点特性赋予了艰钜的前途。
==肖克利二极体==
{{main|肖克利二极体}}
肖克利在持续研究电晶体时，被使用四层装置（均为电晶体）的灵感所启发，而这个装置可能会有不需要进一步控制输入端就可以锁定进入“开”或“开”状态的新颖特质。
类似的电路需要若干个电晶体，一般是三个，所以对于大型的开关网路，新的二极体可以大幅降低複杂性。<ref>Kurt Hubner, [http://www.semizone.com/miscimages/hubner_paper_first_page.jpg "The Four-Layer Diode in the Cradle of Silicon Valley"] {{webarchive|url=https://web.archive.org/web/20070219030531/http://www.semizone.com/miscimages/hubner_paper_first_page.jpg |date=2007-02-19 }}, ''Electrochemical Society Proceedings'', Volume 98-1</ref><ref>[http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_Shockley4E30_Page3.htm "Historic Transistor Photo Gallery Photo Essay – Shockley 4 Layer Diodes"]</ref>这个四层二极体就是现在所称的[[肖克利二极体]]。
肖克利确信这个新型装置会成为如电晶体般的重要，所以对于整个计划保密，即使在公司内部也不例外。这导致了逐渐增加的偏执行为；一个著名的事件是，他被一个祕书断指是用来伤害他的计谋所说服，于是下达命令对公司内的所有人使用[[测谎机]]。这与肖克利优柔寡断的计划管理方式互相结合；有时候他会觉得将基本的电晶体立刻导入生产是最重要的，而不注重肖克利二极体计划是因为要製作“完美”的生产系统。
==八叛逆==
{{main|八叛逆}}
最终一群年轻的员工越级肖克利，向阿诺德·贝克曼要求有人能取代肖克利的管理角色。贝克曼起初显露倾向于同意他们的要求，但是随著时间的推移，一系列的决策都显示贝克曼是站在肖克利同一边，使得最终无法得到改变是非常清楚的。厌倦之馀，这个小组转而寻求{{tsl|en|Sherman Fairchild|谢尔曼·费尔柴尔德}}主掌的{{tsl|en|Fairchild Camera and Instrument|仙童摄影器材}}的支持，这是间拥有军方合约的美国东部公司。1957年，[[快捷半导体]]创始于製做硅电晶体的计划上。肖克利曾表示他们是“[[八叛逆]]”，分别是{{tsl|en|Julius Blank|朱利亚斯·布兰克}}、[[维克多·格里尼克]]、{{tsl|en|Jean Hoerni|金·赫尔尼}}、{{tsl|en|Eugene Kleiner|尤金·克莱尔}}、{{tsl|en|Jay Last|杰·拉斯特}}、[[高登·摩尔]]、[[罗伯特·诺伊斯]]和{{tsl|en|Sheldon Roberts|谢尔顿·罗伯茨}}等8人。<ref>
{{cite book
| title = The second information revolution
| author = Gerald W. Brock
| publisher = Harvard University Press
| year = 2003
| isbn = 978-0-674-01178-6
| page = 88
| url = http://books.google.com/books?id=GbwuBixLwAoC&pg=PA88
}}</ref><ref>
{{cite book
| title = The Genius Factory: The Curious History of the Nobel Prize Sperm Bank
| author = David Plotz
| publisher = Random House Digital
| year = 2006
| isbn = 978-0-8129-7052-4
| page = 90
| url = http://books.google.com/books?id=hLd7WvGAPYIC&pg=PA90
}}</ref>
这8人后来离开快捷去创办他们自己的公司，之中有[[英特尔]]、[[超微半导体]]，还有其他超过20年的期间，65家不同的公司被第一代或者第二代创建于硅谷中，多可追溯到肖克利半导体的团队。{{sfn| Lécuyer|2006}}
肖克利不曾利用管理来取得四层二极体在商业上的成功，儘管他制订出许多技术细节并且于1960年代全面生产。[[积体电路]]的出现允许了需要用数个电晶体来製作的开关，实现整合在单一"晶片"上，因此，终止了肖克利的设计中元件数量的优势。{{sfn| Lécuyer|2006}}不过，公司裡真的还有一些其他成功的计划，包含第一个[[太阳能电池]]的坚实理论研究，开发出具有前景并将基础硅太阳能电池的效能上限提升到30%的{{tsl|en|Shockley-Queisser limit|肖克利-奎塞尔极限}}。<ref name=shockley>William Shockley and Hans J. Queisser, [http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v32/i3/p510_s1 "Detailed Balance Limit of Efficiency of p-n Junction Solar Cells"], ''Journal of Applied Physics'', Volume 32 (March 1961), pp. 510-519; {{doi|10.1063/1.1736034}}</ref>
==相关条目==
*[[八叛逆]]
==参考==
;文献
* {{cite book
|last = Lécuyer|first=C
|title = Making Silicon Valley: innovation and the growth of high tech, 1930–1970
|url = http://books.google.com/books?id=5TgKinNy5p8C
|publisher = MIT Press
|year = 2006
|isbn = 9780262122818
|ref = harv
}}
;引用
{{Reflist|2}}
==外部连结==
*{{en}}[http://www.ieeeghn.org/wiki/index.php/Oral-History:Adolf_Goetzberger Interview with Adolf Goetzberger] a Shockley alumnus hired after mass resignations from Shockley Semiconductor.
{{Coord|37.4049544|-122.1109664|region:US_type:landmark|display=title}}
[[Category:美国电子公司]]
[[Category:无厂半导体公司]]
[[Category:1956年加利福尼亚州建立]]
[[Category:美国电脑公司]]
[[Category:电脑硬件公司]]
[[Category:已关闭半导体公司]]
[[Category:硅谷公司]]
[[Image:ShockleyBldg.jpg|right|thumb|300px|原来的肖克利大楼位于加州山景市圣安东尼奥路391号，在2006年时是一个街头市集。]]
'''肖克利半导体实验室'''（{{lang-en|'''Shockley Semiconductor Laboratory'''}}），是{{tsl|en|Beckman Instruments|贝克曼仪器公司}}的一个部门， 是第一个为经营製造半导体装置所设立的机构，后来发展演变为众所周知的[[硅谷]]。1957年时，8位顶尖的科学家离开了实验室，成立[[快捷半导体]]公司，造成实验室无法弥补的损失。实验室在1960年时被{{tsl|en|Clevite|克利维特公司}}买下，在1968年被卖到[[ITT公司]]后正式关闭。离开公司的工程师们依旧留在这个地区从事同样的工作；很快的，在[[旧金山湾区]]建立起完整的工业。
==肖克利回到加州==
[[威廉·肖克利]]在[[加州理工学院]]完成攻读他的学士学位后，移居到东部在[[麻省理工学院]]取得了博士学位 。1936年毕业后立刻开始在[[贝尔实验室]]工作。从1930年代到1940年代，他从事电子装置工作并致力于半导体材料。这促使了1947年他与工作伙伴：[[约翰·巴丁]]、[[沃尔特·布喇顿]]，还有其他人，创造出第一个[[电晶体]]。从1950年代早期，一连串的事件使得肖克利对于贝尔实验室的管理方式逐渐不适应，特别是在电晶体的专利上，贝尔实验室将巴丁及布喇顿的名字列在他的前面，让他感觉受到忽视。然而，众多因素之一是，与他一起工作的人，提出对肖克利不近人情管理方式的建议，这个原因使他常常在公司内部晋升上遭到略过。这些因素严重到令他在1953年时，取得短暂的工作假期并且回到加州理工学院担任客座教授。
在这裡肖克利遇见了在1934年发明[[pH计|pH测量计]]的{{tsl|en|Arnold Orville Beckman|阿诺德·奥维尔·贝克曼}}并建立友谊。在此期间，肖克利确信了[[硅]]的自然特性终将取代[[锗]]而成为电晶体结构中的主要材料。[[德州仪器]]已在近期开始生产硅电晶体(于1954年)，然而肖克利认为他可以做一个更好的。贝克曼同意肖克利在他的公司，{{tsl|en|Beckman Instruments|贝克曼仪器公司}}，的保护伞下，在这个地区继续努力旧有的工作。可是，肖克利的母亲再次并且常常生病，于是他决定住在离他母亲位于[[帕罗奥图 (加利福尼亚州)|帕罗奥图]]房子的附近。
1956年在靠近[[山景城]]附近，肖克利半导体实验室开办小型商店事业。初期他尝试从贝尔实验室雇用与他同类型的工作者，但是没有人想离开东岸，而且还是最高科技的研究中心。取而代之的是，他组织了一个年轻科学家与工程师的团队，并且订定关于设计可以用来生产{{tsl|en|Boule (crystal)|单晶硅棒}}的新型长晶系统的计划。于此同时，硅的高熔点特性赋予了艰钜的前途。
==肖克利二极体==
{{main|肖克利二极体}}
肖克利在持续研究电晶体时，被使用四层装置（均为电晶体）的灵感所启发，而这个装置可能会有不需要进一步控制输入端就可以锁定进入“开”或“开”状态的新颖特质。
类似的电路需要若干个电晶体，一般是三个，所以对于大型的开关网路，新的二极体可以大幅降低複杂性。<ref>Kurt Hubner, [http://www.semizone.com/miscimages/hubner_paper_first_page.jpg "The Four-Layer Diode in the Cradle of Silicon Valley"] {{webarchive|url=https://web.archive.org/web/20070219030531/http://www.semizone.com/miscimages/hubner_paper_first_page.jpg |date=2007-02-19 }}, ''Electrochemical Society Proceedings'', Volume 98-1</ref><ref>[http://semiconductormuseum.com/PhotoGallery/PhotoGallery_Shockley4E30_Page3.htm "Historic Transistor Photo Gallery Photo Essay – Shockley 4 Layer Diodes"]</ref>这个四层二极体就是现在所称的[[肖克利二极体]]。
肖克利确信这个新型装置会成为如电晶体般的重要，所以对于整个计划保密，即使在公司内部也不例外。这导致了逐渐增加的偏执行为；一个著名的事件是，他被一个祕书断指是用来伤害他的计谋所说服，于是下达命令对公司内的所有人使用[[测谎机]]。这与肖克利优柔寡断的计划管理方式互相结合；有时候他会觉得将基本的电晶体立刻导入生产是最重要的，而不注重肖克利二极体计划是因为要製作“完美”的生产系统。
==八叛逆==
{{main|八叛逆}}
最终一群年轻的员工越级肖克利，向阿诺德·贝克曼要求有人能取代肖克利的管理角色。贝克曼起初显露倾向于同意他们的要求，但是随著时间的推移，一系列的决策都显示贝克曼是站在肖克利同一边，使得最终无法得到改变是非常清楚的。厌倦之馀，这个小组转而寻求{{tsl|en|Sherman Fairchild|谢尔曼·费尔柴尔德}}主掌的{{tsl|en|Fairchild Camera and Instrument|仙童摄影器材}}的支持，这是间拥有军方合约的美国东部公司。1957年，[[快捷半导体]]创始于製做硅电晶体的计划上。肖克利曾表示他们是“[[八叛逆]]”，分别是{{tsl|en|Julius Blank|朱利亚斯·布兰克}}、[[维克多·格里尼克]]、{{tsl|en|Jean Hoerni|金·赫尔尼}}、{{tsl|en|Eugene Kleiner|尤金·克莱尔}}、{{tsl|en|Jay Last|杰·拉斯特}}、[[高登·摩尔]]、[[罗伯特·诺伊斯]]和{{tsl|en|Sheldon Roberts|谢尔顿·罗伯茨}}等8人。<ref>
{{cite book
| title = The second information revolution
| author = Gerald W. Brock
| publisher = Harvard University Press
| year = 2003
| isbn = 978-0-674-01178-6
| page = 88
| url = http://books.google.com/books?id=GbwuBixLwAoC&pg=PA88
}}</ref><ref>
{{cite book
| title = The Genius Factory: The Curious History of the Nobel Prize Sperm Bank
| author = David Plotz
| publisher = Random House Digital
| year = 2006
| isbn = 978-0-8129-7052-4
| page = 90
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}}</ref>
这8人后来离开快捷去创办他们自己的公司，之中有[[英特尔]]、[[超微半导体]]，还有其他超过20年的期间，65家不同的公司被第一代或者第二代创建于硅谷中，多可追溯到肖克利半导体的团队。{{sfn| Lécuyer|2006}}
肖克利不曾利用管理来取得四层二极体在商业上的成功，儘管他制订出许多技术细节并且于1960年代全面生产。[[积体电路]]的出现允许了需要用数个电晶体来製作的开关，实现整合在单一"晶片"上，因此，终止了肖克利的设计中元件数量的优势。{{sfn| Lécuyer|2006}}不过，公司裡真的还有一些其他成功的计划，包含第一个[[太阳能电池]]的坚实理论研究，开发出具有前景并将基础硅太阳能电池的效能上限提升到30%的{{tsl|en|Shockley-Queisser limit|肖克利-奎塞尔极限}}。<ref name=shockley>William Shockley and Hans J. Queisser, [http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v32/i3/p510_s1 "Detailed Balance Limit of Efficiency of p-n Junction Solar Cells"], ''Journal of Applied Physics'', Volume 32 (March 1961), pp. 510-519; {{doi|10.1063/1.1736034}}</ref>
==相关条目==
*[[八叛逆]]
==参考==
;文献
* {{cite book
|last = Lécuyer|first=C
|title = Making Silicon Valley: innovation and the growth of high tech, 1930–1970
|url = http://books.google.com/books?id=5TgKinNy5p8C
|publisher = MIT Press
|year = 2006
|isbn = 9780262122818
|ref = harv
}}
;引用
{{Reflist|2}}
==外部连结==
*{{en}}[http://www.ieeeghn.org/wiki/index.php/Oral-History:Adolf_Goetzberger Interview with Adolf Goetzberger] a Shockley alumnus hired after mass resignations from Shockley Semiconductor.
{{Coord|37.4049544|-122.1109664|region:US_type:landmark|display=title}}
[[Category:美国电子公司]]
[[Category:无厂半导体公司]]
[[Category:1956年加利福尼亚州建立]]
[[Category:美国电脑公司]]
[[Category:电脑硬件公司]]
[[Category:已关闭半导体公司]]
[[Category:硅谷公司]]