禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；对于[[双极性晶体管]] <ref>[[蒋梦轩. 新型大功率绝缘栅双极晶体管的设计与试验研究(D). 湖南大学, 2016.]]</ref> ，当发射区因为高掺杂而出现禁带宽度变窄时，将会导致电流增益大大降低。