吳德馨（院士）檢視原始碼討論檢視歷史
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吳德馨（1936－）:半導體器件和集成電路專家。女。河北樂亭人。1961年畢業於清華大學無線電電子工程系。中國科學院微電子中心研究員。另有上海鐵路局人民武裝部高級工程師吳德馨
基本信息
中文名：吳德馨
出生地：河北樂亭
出生日期：1936年12月20日
畢業院校：清華大學
職 業：教育科研工作者
主要成就：1991年當選為中國科學院學部委員（院士）
性 別：女
國 籍：中國
院士簡介
吳德馨（1936－）：半導體器件和集成電路專家。女。河北樂亭人。1961年畢業於清華大學無線電電子工程系。中國科學院微電子中心研究員。 60年初，吳德馨作為主要負責人之一，在國內首先研究成功硅平面型高速開關晶體管，所提出的提高開關速度的方案被廣泛採用，並向全國推廣。六十年代末期研究成功介質隔離數字集成電路和高阻抗運算放大器模擬電路。70年代末研究成功MOS4K位動態隨機存儲器。在國內首先將正性膠光刻和干法刻蝕等技術用於大規模集成電路的研製，並進行了提高成品率的研究。首先在國內突破了LSI低下的局面。隨後又相繼研究成功16K位和64K位動態隨機存儲器。開發成功雙層多晶硅和差值氧化工藝，獨創了檢測腐蝕接觸孔質量的露點法。80年代末期自主開發成功3微米CMOSLSI全套工藝技術，用於專用電路的製造。研製成功多種專用集成電路；並研究開發成功VDMOS系列功率場效應器件和砷化嫁異質結高電子遷移率晶體管。90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工藝技術，和0.1微米T型柵GaAsPHEMT器件。目前正在從事砷化鎵微波集成電路和光電模塊的研究。
在中國，院士是科學家的終身榮譽。連日來，活躍在人代會上的院士們或直抒胸臆、縱橫捭闔，或條分縷析、娓娓道來，「風采」各有不同。但他們的出發點都是相同的，就是為國家各項事業的發展貢獻自己的真知灼見，行使憲法和法律賦予的神聖職責。 全國人大代表、中科院院士吳德馨認為，遏制司法腐敗，審判制度改革很重要。
吳德馨院士從事半導體器件與集成電路的研究與開發，曾獲國家和中科院一等獎3項。1992年被國家科委聘為「深亞微米結構器件和介觀物理」項目首席科學家。
工作經歷
曾任國家重大科技攻關課題負責人；攀登計劃首席科學家；國家重大基礎研究顧問專家組成員；中科院學部主席團成員；中國電子學會常務理事；半導體與集成技術分會主任；第九屆、十屆全國人大常委會委員和教科文衛委員會委員等職務。
研究領域
主要從事化合物半導體異質結晶體管和電路的研究，包括0.1微米砷化鎵/鋁鎵砷異質結高遷移率場效應晶體管、砷化鎵/銦鎵磷HBT晶體管，氮化鎵/鋁鎵氮異質結場效應功率晶體管和研製成功砷化鎵/銦鎵磷HBT光發射驅動電路。
所獲榮譽
在國內率先提出了利用MEMS結構實現激光器和光纖的無源耦合。並研究成功工作速率達10Gbps的光發射模塊。其中「先進的深亞微米工藝技術及新型器件」獲2003年北京市科學技術一等獎。
獨立自主開發成功全套0.8微米CMOS工藝技術。獲1998年中科院科技進步一等獎和1999年國家科技進步二等獎。作為國家攀登計劃首席科學家負責「深亞微米結構器件及介觀物理項目研究。開展了12項課題的研究。為介觀物理基礎和新結構器件的進一步研究打下基礎。
作為工藝負責人研究成功N溝MOS4K、16K動態隨機存儲器和成品率的提高。獨創了檢驗接觸孔質量的露點檢測法。並推廣到上海器件五廠。分別獲得1980和1981年中科院科技成果一等獎兩次。負責平面型高速開關管的研究，獨立解決了提高開關速度的關鍵問題，並推廣至上海器件五廠和109廠，為兩彈一星採用的109計算機提供器件基礎。獲國家新產品一等獎。2004年，獲何梁何利技術科學獎。[1]