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唐叔贤
原图链接来自中国科学院学部网 唐叔贤
出生	(1942-04-21) 1942年4月21日
国籍	中国
籍贯	上海
民族	汉
母校	香港大学理学院
职业	材料表面科学与技术专家
研究领域	材料表面科学与技术研究

唐叔贤

材料表面科学与技术专家。1942年4月21日出生于香港，原籍上海。1964年毕业于香港大学理学院，1969年获加州大学博士学位。南方科技大学教授，香港城市大学讲座教授。2001年当选为中国科学院院士。 长期从事材料表面科学与技术研究，发展了固体中电子的多重散射理论体系。

教育背景

1. 1964年，唐叔贤毕业于香港大学理学院。
2. 1967年，唐叔贤获加州大学硕士学位。
3. 1969年，唐叔贤获加州大学博士学位。

工作经历

• 1985年~1986年，担任美国真空学会表面科学部副主席。
• 1986年~1986年，担任美国真空学会表面科学部主席。
• 1988年~1989年，担任美国国家科学基金会材料研究部凝聚态分部主任。
• 1988年~2000年，担任美国威斯康辛州立大学米尔土瓦基分校杰出教授。
• 1994年~2001年，担任香港大学物理系主任及讲座教授。
• 2002年~2003年，担任香港城市大学学术副校长。
• 2003年~2009年，担任香港城市大学常务副校长。
• 2011年~2015年，担任南方科技大学领军教授。
• 2015年~至今，担任香港中文大学（深圳）研究生院院长。

研究方向

长期从事材料表面科学与技术研究，发展了固体中电子的多重散射理论体系，对低能电子衍射（LEED）、光电子衍射(PHD)、高分辨电子能量损失谱(HREELS)，以及反射高能电子衍射(RHEED)等技术测量结果的定量分析上作出了创造性的系统贡献。在低能电子全息成像研究上，把全息术和低能电子衍射结合起来，将实验得到的低能电子衍射图案做简单的傅立叶变换即可得到所测物质表面的原子三维结构。提出新的反转低能电子衍射公式，也能得到所测系统的表面原子三维结构。在先进材料生长上开展了氮化镓在碳化硅衬底上的生长研究，并探讨了氮化镓的异质生长机制。

学术成就

唐叔贤教授著书6本，在国际高水平学术期刊发表文章280多篇，当中包括：2篇《Science》文章、2篇《Physics Today》文章、1篇《Advances in Physics》文章、1篇《Progress in Surface Science》文章、1篇《Proceedings of National Academy of Sciences》文章、35篇《Physical Review Letters》文章。唐叔贤教授在1979年出版的专著《Surface Crystallography by Low-Energy Electron Diffraction（表面晶体学的低能电子衍射方法）》，成为表面结构领域的权威刊物，被他人引用超900次。唐叔贤教授的著作被引用超过10,000次, 其中24篇著作引用超过100次。 h-index是52。在1991年，唐教授把电子全息方法引进表面物理领域，该技术获批1992年美国专利。

科研项目

唐教授自1974年以来，承担美国和香港科研项目20项，作为项目负责人（PI）承担18项国际科研项目。其中作为项目负责人承担美国科研项目13项，包括1974年到1994年期间承担7项美国国家科学基金会项目，1979年至1994年期间承担5项美国能源部项目，1990年至1993年间承担1项美国海军研究局项目。在1988年至1989年期间，作为美国国家科学基金会材料研究部凝聚态理论项目的主任，主管负责资助全美大学超过300个研究项目，在这些科学家中包括3位诺贝尔奖获得者。

作为项目负责人承担6项香港科研项目，作为主要参与人承担2项香港科研项目。其中分别在1995年7月至1998年12月和2003年7月至2006年11月作为项目负责人主持香港研究资助局2项团队项目，在2001年12月至2003年11月主持香港研究资助局联合科研基金项目1项，分别在1996年10月至1999年9月、2001年9月至2003年8月、2002年9月至2006年8月主持3项优配研究金项目。 2016-17为中国科学院学部学科发展战略研究项目（低维度人工微结构及其界面和表面科学）的负责人，目前此项目正在进行。