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| − | + | == 简介 == | |
| − | + | 张乃千博士是世界上最早研究氮化镓(GaN)电子器件的人员之一，是美国电子工程师协会(IEEE)会员，及其核心杂志IEEE EDL的审稿人。1997年入美留学加州大学Santa Barbara分校，师从美国科学院院士Umesh Mishra教授，获固态半导体博士学位。在博士研究阶段，张乃千研制出世界首个GaN电力电子器件，其击穿电压超过1千伏。毕业后进入当时全球最大的射频半导体生产厂家RFMD公司，两年后任产品开发主管，主持砷化镓(GaAs)功放芯片产品开发工作，并参与氮化镓微波功率器件开发。2006年底任Fultec公司先进半导体技术经理，负责开发高电压氮化镓开关功率器件。他研制出的2千伏开关又一次刷新了该领域GaN器件的记录，开创了氮化镓应用于电力电子的新局面。2007年张乃千回国创办了西安能讯微电子有限公司。能讯公司是中国第一家生产宽禁带半导体电子器件的企业，致力于氮化镓等功率器件的产品开发及产业化。2009年4月因其在氮化镓电子器件领域所作出的的突出贡献，以及对其产业化的努力，张乃千入选首批中组部评选的"千人计划"国家特聘专家。张乃千 本 科就读于清华大学电子工程系微波工程专业，之后曾作为访问学者于香港城市大学研究高效率微波放大器。 | |
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於 2019年1月10日 (四) 17:05 的修訂
張乃千，男，95年畢業於清華大學電子工程學士學位，微波專業，07年畢業於加州大學電子與計算機工程博士學位，半導體專業，是世界上最早研究氮化鎵(GaN)電子器件的人員之一，是美國電子工程師協會(IEEE)會員，及其核心雜誌IEEE EDL的審稿人。
目錄
簡介
張乃千博士是世界上最早研究氮化鎵(GaN)電子器件的人員之一，是美國電子工程師協會(IEEE)會員，及其核心雜誌IEEE EDL的審稿人。1997年入美留學加州大學Santa Barbara分校，師從美國科學院院士Umesh Mishra教授，獲固態半導體博士學位。在博士研究階段，張乃千研製出世界首個GaN電力電子器件，其擊穿電壓超過1千伏。畢業後進入當時全球最大的射頻半導體生產廠家RFMD公司，兩年後任產品開發主管，主持砷化鎵(GaAs)功放芯片產品開發工作，並參與氮化鎵微波功率器件開發。2006年底任Fultec公司先進半導體技術經理，負責開發高電壓氮化鎵開關功率器件。他研製出的2千伏開關又一次刷新了該領域GaN器件的記錄，開創了氮化鎵應用於電力電子的新局面。2007年張乃千回國創辦了西安能訊微電子有限公司。能訊公司是中國第一家生產寬禁帶半導體電子器件的企業，致力於氮化鎵等功率器件的產品開發及產業化。2009年4月因其在氮化鎵電子器件領域所作出的的突出貢獻，以及對其產業化的努力，張乃千入選首批中組部評選的"千人計劃"國家特聘專家。張乃千本科就讀於清華大學電子工程系微波工程專業，之後曾作為訪問學者於香港城市大學研究高效率微波放大器。
| 出生 |
YYYY年表達式錯誤：無法識別的詞語「dd」。日 中國 |
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| 逝世 | YYYY年表達式錯誤：無法識別的詞語「dd」。日（表達式錯誤：無法識別的詞語「yyyy」。歲） |
| 國籍 | 中國 |
