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抑制性突触后电位查看源代码讨论查看历史

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抑制性突触后电位是中国的一个科技名词。

为什么汉字是方块字,这个问题虽然没有明确的考证,但从古人观察世界的方式中便可窥见一斑。《淮南子·览冥训[1]》说:“往古之时,四极废,九州裂。天不兼覆,地不周载,火炎炎而不灭,水浩洋而不息,猛兽……于是女娲炼五色石以补苍天,断鳌足以立四极。”在古人心目中,“天圆地方[2]”,地是方形的,而且在这四方形地的尽头,还有撑着的柱子。

名词解释

抑制性突触后电位(Inhibitory postsynaptic potential, IPSP)是突触前膜释放抑制性递质(抑制性中间神经元释放的递质),导致突触后膜主要对Cl通透性增加,Cl内流产生局部超极化电位,突触后膜在递质作用下发生超极化,使该突触后神经元的兴奋下降,这种电位变化称为抑制性突触后电位(IPSP)。其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜,使后膜上的配体门控CI 通道开放,引起CI 内流,突触后膜发生超极化。

特点介绍

(1)突触前膜释放递质是Cl-内流引发的;

(2)递质是以囊泡的形式以出胞作用的方式释放出来的;

(3)IPSP是局部电位,而不是动作电位;

(4)IPSP是突触后膜离子通透性变化所致,与突触前膜无关。

机制

突触后膜在递质作用下发生超极化,使该突触后神经元的兴奋下降,这种电位变化称为抑制性突触后电位(IPSP)。其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜,使后膜上的配体门控CI-通道开放,引起CI-内流,突触后膜发生超极化。此外,IPSP的形成还可能与突触后膜K+通道的开放或Na+、Ca2+通道的关闭有关。

参考文献