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朱慧珑，中国科学院微电子研究所研究员，博士生导师。 提出了多项提高芯片性能的核心技术方案，其中包括双应力薄膜(Dual Stress Liner)、应力近临技术(stress proximity technique)、减薄栅极的应变MOSFET等; · 较系统地研究了锗和锑在SixGe1-x体系中的扩散现象，提出了新的数学模型及解析解法，并第一次给出了精确描述锗和锑在SixGe1-x体系中扩散系数的公式。

简介

朱慧珑，中国科学院微电子研究所研究员，博士生导师.

1982年9月获中国科学技术大学物理系学士学位;

1988年9月获北京师范大学物理博士学位。

1990年至2009年，先后在美国Argonne国家实验室、UIUC、DEC、Intel、IBM等任职。

现任中国科学院微电子研究所研究员，博士生导师，国家"千人计划"入选者、"千人计划"国家特聘专家。

研究方向为超大规模集成电路器件与集成工艺的前瞻性研究。

个人成就

2000年-2009年 IBM半导体研究和开发中心(SRDC), 位于纽约的Hopewell Junction。.提出了多项提高芯片性能的核心技术方案，其中包括双应力薄膜(Dual Stress Liner)、应力近临技术(stress proximity technique)、减薄栅极的应变MOSFET等。较系统地研究了锗和锑在SixGe1-x体系中的扩散现象，提出了新的数学模型及解析解法，并第一次给出了精确描述锗和锑在SixGe1-x体系中扩散系数的公式。

1998年-2000年 英特尔(Intel), 位于加利福尼亚州的Santa Clara。 研究和开发极大规模集成电路和芯片制造工艺的建模与仿真软件。开发模拟芯片制造工艺(CMOS, 半导体存储器, 离子注入, 掺杂扩散, …)的软件, 并用于模拟CMOS器件的生产制造过程。指导公司与大学之间的研究合作工作。

1996年-1998年 数字设备公司(DEC), 位于马萨诸塞州的Hudson。研究和开发大规模集成电路和芯片制造工艺的模型与仿真。设计实验并用于校准硼和磷的扩散模型;并应用这些模型来模拟亚微米CMOS器件的制造过程; 参与器件的工艺设计。指导公司与大学之间的研究计划。

1992年-1996年 伊利诺伊大学厄巴纳-尚佩恩分校(UIUC)材料研究实验室(MRL)，位于伊利诺伊州的Urbana-Champaign· 用分子动力学研究纳米粒子烧结过程的先驱之一; 第一次发现了纳米粒子超快速烧结(几十微微秒)的现象并给出了理论解释。据不完全统计，此项工作他引达139次。

1990年-1992年 美国阿贡国家实验室(Argonne National Lab)材料科学部，位于伊利诺伊州的Argonne 。用分子动力学研究离子注入，原子混合，和原子扩散现象。

1988年-1990年 北京师范大学低能核物理研究所, 北京。 从事原子扩散，离子注入表面该性和核反应堆辐射损伤的理论物理研究。

2013年 新型太阳能硅片电池的研究，和水射流专家纪新刚合作研究了硅片的加工工艺。

研究领域

纳米器件关键工艺技术先导研究

获奖及荣誉:· IBM全公司2007年度4名牵头发明家(Leading Inventor)之一;· IBM半导体研究和开发中心2008年度的发明大师(Master Inventor); · 2项专利获IBM杰出专利奖; · 获得IBM公司发明成就奖51次. 代表论著: 1) H. Zhu et al, "Improving Yields of High Performance 65 nm Chips with Sputtering Top Surface of Dual Stress Liner," VLSI 2007, pp180-181 2) H. Zhu et al, "On the Control of Short Channel Effect for MOSFETs with Reverse Halo Implantation" IEEE Electron Device Lett., vol. 28, no. 2, pp168-170, 2007。 3)H. Zhu, "Modeling of Impurity Diffusion with Vacancy-Mechanism in Diamond Lattice and Si1-xGex," Electrochemical Society Proceedings Volume 2004-07, pp. 923-934 4) H. Zhu et al, "STRUCTURE AND METHOD TO ENHANCE STRESS IN A CHANNEL OF CMOS DEVICES USING A THIN GATE", US Patent application number: US20060160317A1 5) H. Zhu et al, "Structure and method for manufacturing planar SOI substrate with multiple orientations", US Patent number: US7094634. 6) H.S. Yang and H. Zhu, "Method and Apparatus for Increase Strained Effect in a Transistor Channel," US Patents: US7118999 and US7462915 7) K. Lee and H. Zhu, "Method for slowing down dopant-enhanced diffusion in substrates and devices fabricated therefrom," US Patent: US7163867 8) B. Doris et al, "Structure and method to enhance both nFET and pFET performance using different kinds of stressed layers" US Patent Application: US20050093030A1 9) H. Zhu and R. S. Averback, "Sintering processes of two nanoparticles: a study by molecular-dynamics simulations," Phil. Mag. Lett. 73, no.1, (1996): 27-33. 10) H. Zhu et al, "Molecular-Dynamics Simulations of a 10-keV Cascade in Beta-NiAl," Philosophical Magazine A71 735-758, 1995 承担科研项目情况:现担任"22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设"课题首席科学家, 该项目属国家科技重大专项"极大规模集成电路制造装备及成套工艺".

朱慧珑 朱慧珑
出生	(YYYY-MM-DD) YYYY年日
逝世	YYYY年日(YYYY--DD)（歲）
国籍	中国
职业	微电子研究所研究员，博士生导师