模拟CMOS集成电路设计查看源代码讨论查看历史

《模拟CMOS集成电路设计》，[美] 毕查德·拉扎维（Behzad Razavi） 著，陈贵灿，程军，张瑞智 等 译，出版社： 西安交通大学出版社。

书籍是知识的源泉，只有书籍才能解救人类，只有知识才能使我们变成精神上坚强的、真正的、有理性的人。唯有这种人能真诚地热爱人，尊重人的劳动，衷心地赞赏人类永不停息的伟大劳动所创造的最美好的成果。

内容简介

本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材，介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解该技术的新进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。

本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。

本书自出版以来得到了国内外读者的好评和青睐，被许多国际知名大学选为教科书。同时，由于原着者在世界知名公司的丰富研究经历，使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。

作者介绍

毕查德·拉扎维，美国加利福尼亚大学洛杉矶分校电气工程学院教授，获奖无数的作家、研究人员、教师。他的研究领域包括无线收发机、宽带数据通信电路、数据转换器。他还是IEEE的院士、IEEE讲师，被公认为国际固体电路会议（ISSCC）近50年中10位作者之一。在模拟电路、射频、高速电路的分析和设计领域，他已经出版了7本经典巨著。