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| 肖特基勢壘 |
肖特基勢壘是指具有整流特性的金屬-半導體界面，就如同二極管具有整流特性。
簡介
肖特基勢壘（障壁）相較於PN結最大的區別在於具有較低的接面電壓，以及在金屬端具有相當薄的(幾乎不存在)耗盡層寬度。並非所有的金屬-半導體接面都是具有整流特性的，不具有整流特性的金屬-半導體接面則稱為歐姆接觸。整流屬性決定於金屬的功函、固有半導體的能隙，以及半導體的摻雜類型及濃度。在設計半導體器件時需要對肖特基效應相當熟悉，以確保不會在需要歐姆接觸的地方意外地產生肖特基勢壘。由於肖特基勢壘具有較低的界面電壓，可被應用在某器件需要近似於一個理想二極管的地方。在電路設計中，它們也同時與一般的二極管及晶體管一起使用, 其主要的功能是利用其較低的接面電壓來保護電路上的其它器件。
評價
還原是維持全球平衡氮循環和恢復生態環境的關鍵反應。其中，氨（NH3）作為一種優良的能量載體，是所有NOx-還原反應產物中最有價值的產物。但由於多電子 NOx- 到 NH3 過程的內在複雜性，其選擇性仍不能令人滿意。在這裡，作者利用肖特基勢壘誘導的表面電場，通過在富氮碳內部構建高密度缺電子鎳納米粒子，促進電極表面NOx- 陰離子（包括 NO3- 和 NO2-）的富集和固定，從而確保最終對 NH3 的高選擇性。理論和實驗結果都表明，NOx 陰離子被電極連續捕獲，表面電場大大增強，通過電催化 NO3- 和 NO2- 還原提供了 99% 的超高法拉第效率。值得注意的是，在中性溶液電催化 NO2-還原反應中，NH3 產率最大可以達到25.1 mg h-1 cm-2，比文獻中的最大值高 6.3 倍。由於該電催化劑具有普適性，因此可以通過可持續電化學技術將各種可用的含有NOx- 污染物的電解質，包括海水或廢水，直接用於可能的氨生產。[1]