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胡正明 圖片來自遠見雜誌

胡正明，1947年7月12日出生於中國北京，北京出生的臺灣人，籍貫江蘇金壇，美籍華裔微電子學家，柏克萊加州大學教授，原台積電技術執行長。

生平概述

1947年出生於北京，祖籍江蘇省金壇市城西馬乾村。之後前往臺灣。

1968年國立臺灣大學電機工程系畢業，獲學士學位。

1969年赴美國加州大學伯克利分校留學，1970年獲碩士學位。

1973年獲美國加州大學伯克利分校博士學位。畢業後前往麻省理工學院任助理教授。

1976年起任教於柏克萊加州大學電子工程與計算機科學系。

1991-1994年任清華大學（北京）微電子學研究所榮譽教授。1997年當選為美國工程科學院院士。

1996年創辦思略微電子有限公司（Celestry Design Technologies, Inc.）兼任董事長。

2001年至2004年間擔任台積電首任技術執行長，兼任柏克萊加州大學台積電傑出講座教授。

2004年，胡正明重返伯克利加大，結束他在台積電的一千個日子，回到學術界，現仍為台積電顧問。任教職之外，胡正明的產業經驗不僅在台積電，也曾創辦Celestry Design Technologies, Inc、並曾任國家半導體公司非揮發性記憶體研發經理，除了學術、產業的傑出表現之外，還當過舊金山東灣中文學校董事長。他在學術領域屢創高峰，在電晶體尺寸及性能研發上屢次創新世界紀錄，也為積體電路設計訂定出第一個國際標準電晶體模型。他擁有美國專利逾百項，期刊及會議文獻發表約八百件。

2007年當選中國科學院外籍院士。2015年12月獲得美國國家技術和創新獎。

2008年起任SanDisk公司董事。

成就貢獻

胡正明教授是微電子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要開拓者，對半導體器件的開發及未來的微型化做出了重大貢獻。 時任柏克萊加大華裔教授 以他領導的柏克萊加大電機系研究小組開發出了世界上體積最小，但是通過電流卻最大的半導體晶體管。這種新型的晶體管可以使1個電腦芯片的容量比從前提高400倍。

曾任台積電技術長的胡正明，被稱為「台灣第一技術長」。這位「美國國家工程院院士」以「科學家」之姿，以最直接的方式貢獻台灣半導體界，期間，並創下新竹科學園區有史以來，第一位獲數理組院士的半導體業人士。 他是鰭式場效晶體管 (FinFET) 的發明者，解決了晶體做薄後的漏電問題，並向上發展，使晶片內構從水平變成垂直，從而打破了原來英特爾對全世界宣布的將來半導體的限制

主要科技成就為：領導研究出BSIM，從實際MOSFET晶體管的複雜物理推演出數學模型，該數學模型於1997年被國際上38家大公司參與的晶體管模型理事會選為設計芯片的第一個且唯一的國際標準；發明了在國際上極受注目的FinFET等多種新結構器件；對微電子器件可靠性物理研究貢獻突出：首先提出 熱電子失效的物理機制，開發出用碰撞電離電流快速預測器件壽命的方法，並且提出薄氧化層失效的物理機制和用高電壓快速預測薄氧化層壽命的方法。首創了在器件可靠性物理的基礎上的IC可靠性的計算機數值模擬工具。