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 褚君浩(1945年3月20日—),江苏宜兴人,中国半导体物理和器件专家,中国科学院上海技术物理研究所研究员、红外物理学家 [1]   现任中国科学院上海技术物理研究所科技委副主任,华东师范大学信息科学技术学院院长,东华大学理学院院长,第十届全国人大代表 [2]
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1966年毕业于上海师范学院物理系;1981年和1984年先后获中国科学院上海技术物理研究所硕士、博士学位;1985年加入九三学社;2005年当选为中国科学院院士。 [1]  [3]  
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 褚君浩长期从事红外光电子材料和器件的研究,开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞(HgCdTe)和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出 了HgCdTe 的禁带宽度等关系式,被国际上称为CXT公式,广泛引用并认为与实验结果最符合建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型发现HgCdTe的基本光电跃迁特性,确定了材料器件的光电判别依据开展铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器研究,研制成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像
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| style="background: #FF2400" align= center|  '''<big>褚君浩</big>'''
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''' 褚君浩''' (1945年3月20日—),[[ 江苏]] 宜兴人,中国[[ 半导体]] 物理和器件专家<ref>[https://www.sogou.com/tx?query=%E8%A4%9A%E5%90%9B%E6%B5%A9%EF%BC%881945%E5%B9%B43%E6%9C%8820%E6%97%A5%E2%80%94%EF%BC%89%EF%BC%8C%E6%B1%9F%E8%8B%8F%E5%AE%9C%E5%85%B4%E4%BA%BA%EF%BC%8C%E4%B8%AD%E5%9B%BD%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%E7%89%A9%E7%90%86%E5%92%8C%E5%99%A8%E4%BB%B6%E4%B8%93%E5%AE%B6&hdq=sogou-site-706608cfdbcc1886&ekv=3&ie=utf8&  褚君浩(1945年3月20日—),江苏宜兴人 中国半导体物理和器件专家 ],粉体人-weixin.qq.com - 2018-07-02</ref>,[[ 中国科学院]] 上海技术物理研究所研究员、红外物理学家<ref>[https://www.sogou.com/tx?query=%E4%B8%AD%E5%9B%BD%E7%A7%91%E5%AD%A6%E9%99%A2%E4%B8%8A%E6%B5%B7%E6%8A%80%E6%9C%AF%E7%89%A9%E7%90%86%E7%A0%94%E7%A9%B6%E6%89%80%E7%A0%94%E7%A9%B6%E5%91%98%E3%80%81%E7%BA%A2%E5%A4%96%E7%89%A9%E7%90%86%E5%AD%A6%E5%AE%B6&hdq=sogou-site-706608cfdbcc1886&ekv=3&ie=utf8&  中国科学院上海技术物理研究所研究员、红外物理学家 ], 搜狗百科 - baike.sogou.com/v...- 2019-7-24</ref>。    现任中国科学院[[ 上海]] 技术物理研究所科技委副主任,[[ 华东师范大学]] 信息科学技术学院院长,东华大学理学院院长, 褚君浩 第十届全国人大代表<ref>[https://www.sogou.com/tx?query=%E4%B8%9C%E5%8D%8E%E5%A4%A7%E5%AD%A6%E7%90%86%E5%AD%A6%E9%99%A2%E9%99%A2%E9%95%BF%EF%BC%8C%E8%A4%9A%E5%90%9B%E6%B5%A9%E7%AC%AC%E5%8D%81%E5%B1%8A%E5%85%A8%E5%9B%BD%E4%BA%BA%E5%A4%A7%E4%BB%A3%E8%A1%A8&hdq=sogou-site-706608cfdbcc1886&ekv=3&ie=utf8& 东华大学理学院院长,褚君浩第十届全国人大代表 ],买购网 - www.maigoo.com/m...- 2023-4-11</ref>。
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1966年毕业于上海师范学院物理系;1981年和1984年先后获中国科学院上海技术物理研究所硕士、博士学位;1985年加入九三学社;2005年当选为中国科学院院士。   
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 褚君浩长期从事红外光电子材料和器件的研究,开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞(HgCdTe)和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出
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HgCdTe 的禁带宽度等关系式,被国际上称为CXT公式,广泛引用并认为与实验结果最符合建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理
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论模型发现HgCdTe的基本光电跃迁特性,确定了材料器件的光电判别依据开展铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器研究,研制成功PZT和BST铁电薄膜非
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制冷红外探测器并实现了热成像
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1945年3月,君浩出生在江苏宜兴一个书香家庭。
 
1945年3月,君浩出生在江苏宜兴一个书香家庭。
1958年,转入上海徐汇中学念初三。
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1962年高考时,褚君浩连续填报了复旦大学物理系、华师大物理系和上海师院(上师大前身)物理系三个志愿,非物理系不上。那年,虽然物理考了满分,但由于作文失误,总分被拉了下来,就进了第三志愿——上海师院。
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1958年,转入[[ 上海]] 徐汇中学念初三。
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1962年高考时,褚君浩连续填报了复旦大学物理系、华师大物理系和上海师院(上师大前身)物理系三个志愿,非物理系不上。那年,虽然物理考了满
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分,但由于作文失误,总分被拉了下来,就进了第三志愿——上海师院。
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1966年,毕业于上海师范学院(现上海师范大学)物理系,被分到上海市梅陇中学当物理老师。
 
1966年,毕业于上海师范学院(现上海师范大学)物理系,被分到上海市梅陇中学当物理老师。
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1978年,考上中科院上海技术物理研究所研究生。
 
1978年,考上中科院上海技术物理研究所研究生。
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1981年,获得中国科学院上海技术物理研究所硕士学位。
 
1981年,获得中国科学院上海技术物理研究所硕士学位。
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1984年,获得中国科学院上海技术物理研究所博士学位。
 
1984年,获得中国科学院上海技术物理研究所博士学位。
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1984年12月起,担任中科院技术物理研究所物理室副主任。
 
1984年12月起,担任中科院技术物理研究所物理室副主任。
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1986年2月至1988年10月,他获得德国洪堡基金,赴德国慕尼黑技术大学物理系从事半导体二维电子气研究。
 
1986年2月至1988年10月,他获得德国洪堡基金,赴德国慕尼黑技术大学物理系从事半导体二维电子气研究。
1993年7月,任中科院红外物理国家重点实验室主任。 [1] 
 
2005年,褚君浩正式当选中科院院士。 [4] 
 
  
 科学研究
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1993年7月,任中科院红外物理国家重点实验室主任。 
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2005年,褚君浩正式当选中科院院士。  
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=== 科学研究===
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 科研综述
 
 科研综述
  
 褚君浩(8张)
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 褚君浩 院士长期从事红外光电子材料和器件的研究,开展了用于红探测器的窄禁半导体碲镉汞(HgCdTe)和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了
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HgCdTe的禁带宽等关系式;被国际上称为CXT公式,广泛引用并认为与实验结果最符合;建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理
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论模型;发现了HgCdTe的基本光电跃迁特性,确定了材料器件的光电判别依据;开展了铁电薄膜材料物理和非冷红外探测器研究,研究成功PZT和BST铁电
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薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像,为中国物理科学和研究作出了重大贡献。
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主要研究固体物理、窄禁带半导体物理。系统研究了窄禁带半导体的基础物理,在光学性质、电学性质、能带结构、晶格振动、杂质缺陷、二维电子气研
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究方面取得系统的研究成果,HgCdTe基础物理部分研究成果具有国际领先水平。提出的禁带宽度公式被国际上称为CXT公式(褚、徐、汤)。 [5] 
  
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===主要论著===
  
褚君浩院士长期从事红外光电子材料和器件的研究,开展了用于红探测器的窄禁半导体碲镉汞(HgCdTe)和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽等关系式;被国际上称为CXT公式,广泛引用并认为与实验结果最符合;建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型;发现了HgCdTe的基本光电跃迁特性,确定了材料器件的光电判别依据;开展了铁电薄膜材料物理和非冷红外探测器研究,研究成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像,为中国物理科学和研究作出了重大贡献。
 
主要研究固体物理、窄禁带半导体物理。系统研究了窄禁带半导体的基础物理,在光学性质、电学性质、能带结构、晶格振动、杂质缺陷、二维电子气研究方面取得系统的研究成果,HgCdTe基础物理部分研究成果具有国际领先水平。提出的禁带宽度公式被国际上称为CXT公式(褚、徐、汤)。 [5] 
 
主要论著
 
 
 截至2015年12月,褚君浩发表论文200余篇,研究结果被国内外广泛引用并被大篇幅写进美国、英国、荷兰、前苏联等出版的科学手册和专著中。被国际权威的Landolt-Bornstein科技数据集特邀为“含Hg化合物部分”修订负责人。
 
 截至2015年12月,褚君浩发表论文200余篇,研究结果被国内外广泛引用并被大篇幅写进美国、英国、荷兰、前苏联等出版的科学手册和专著中。被国际权威的Landolt-Bornstein科技数据集特邀为“含Hg化合物部分”修订负责人。
 
1褚君浩,窄禁带半导体物理学, 科学出版社,2005。
 
1褚君浩,窄禁带半导体物理学, 科学出版社,2005。
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22JHChu,BLi,KLiu,and DYTang,Empirical Rule of Intrinsic Absorption-spectroscopy in HgCdTe,JApplPhys,1994,1234
 
22JHChu,BLi,KLiu,and DYTang,Empirical Rule of Intrinsic Absorption-spectroscopy in HgCdTe,JApplPhys,1994,1234
 
23Junhao Chu,Dingyuan Tang,Recent Progress on HgCdTe at the National Laboratory for Infrared Physics in China,JElectronic Materials,1996,25 (8):1176
 
23Junhao Chu,Dingyuan Tang,Recent Progress on HgCdTe at the National Laboratory for Infrared Physics in China,JElectronic Materials,1996,25 (8):1176
24Junhao Chu,Yongsheng Gui,Biao Li ,Dingyuan Tang,Determination of Cut-off Wavelength and Composition Distribution in Hg1- xCdxTe,JElectronMater1998,27(6):718 [1]  
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24Junhao Chu,Yongsheng Gui,Biao Li ,Dingyuan Tang,Determination of Cut-off Wavelength and Composition Distribution in Hg1- xCdxTe,JElectronMater1998,27(6):718   
科研获奖
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''' 科研获奖'''
 
1987年,获国家自然科学奖四等奖。
 
1987年,获国家自然科学奖四等奖。
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1992年,获中国科学院自然科学一等奖。
 
1992年,获中国科学院自然科学一等奖。
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1993年,获国家自然科学奖三等奖。
 
1993年,获国家自然科学奖三等奖。
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1995年,获中国科学院自然科学二等奖。
 
1995年,获中国科学院自然科学二等奖。
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1999年,获中国科学院自然科学二等奖。
 
1999年,获中国科学院自然科学二等奖。
2005年,获国家自然科学奖二等奖。 [6] 
 
  
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2005年,获国家自然科学奖二等奖。 
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===人才培养===
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在做好科研的同时,褚君浩也非常重视教育。他认为为人师首先要了解对方,其次教育要达到互动,因为不同的人有不同的接受方式,所以要讲究方法和
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效率。对学生,他主张除了传授知识外,要充分发挥学生的主观能动性,启发为主,指导为辅。此外,他对学生的研究态度有严格的要求,其核心是踏实
  
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和严谨。他已培养50多名博士,其中获得全国百篇优秀博士论文奖2名,[[中国科学院]]院长特别奖2名、优秀奖2名。 
  
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'''荣誉表彰'''
  
人才培养
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2004年 被评 国家973计划 进个 人和 国家重点 验室计划先进个人金牛奖 。   
在做好科研的同时 褚君浩也非常重视教育。他认 为人师首 要了解对方,其次教育要达到互动,因为不同的 有不同的接受方式,所以要讲究方法 效率。对学生,他主张除了传授知识外,要充分发挥学生的主观能动性,启发为主,指导为辅。此外,他对学生的研究态度有严格的要求,其核心是踏 和严谨。他已培养50多名博士,其中获得全国百篇优秀博士论文奖2名,中国科学院院长特别奖2名、优秀奖2名 [1]  
 
  
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2014年,被授予第十届“十佳全国优秀科技工作者”称号。 
  
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2017年5月,获得全国创新争先奖章;  9月,被评为2017感动上海年度人物。
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==视频==
  
  
荣誉表彰
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==参考来源==
2004年,被评为国家973计划先进个人和国家重点实验室计划先进个人金牛奖。 [6] 
 
2014年,被授予第十届“十佳全国优秀科技工作者”称号。 [7] 
 
2017年5月,获得全国创新争先奖章; [8]  9月,被评为2017感动上海年度人物。 [9]
 

於 2023年5月4日 (四) 16:42 的修訂

褚君浩

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中文名字:

褚君浩(1945年3月20日—),江蘇宜興人,中國半導體物理和器件專家[1]中國科學院上海技術物理研究所研究員、紅外物理學家[2]。 現任中國科學院上海技術物理研究所科技委副主任,華東師範大學信息科學技術學院院長,東華大學理學院院長,褚君浩第十屆全國人大代表[3]。 1966年畢業於上海師範學院物理系;1981年和1984年先後獲中國科學院上海技術物理研究所碩士、博士學位;1985年加入九三學社;2005年當選為中國科學院院士。 褚君浩長期從事紅外光電子材料和器件的研究,開展了用於紅外探測器的窄禁帶半導體碲鎘汞(HgCdTe)和鐵電薄膜的材料物理和器件研究。提出了

HgCdTe的禁帶寬度等關係式,被國際上稱為CXT公式,廣泛引用並認為與實驗結果最符合建立了研究窄禁帶半導體MIS器件結構二維電子氣子能帶結構的理

論模型發現HgCdTe的基本光電躍遷特性,確定了材料器件的光電判別依據開展鐵電薄膜材料物理和非製冷紅外探測器研究,研製成功PZT和BST鐵電薄膜非

製冷紅外探測器並實現了熱成像

1945年3月,君浩出生在江蘇宜興一個書香家庭。

1958年,轉入上海徐匯中學念初三。

1962年高考時,褚君浩連續填報了復旦大學物理系、華師大物理系和上海師院(上師大前身)物理系三個志願,非物理系不上。那年,雖然物理考了滿

分,但由於作文失誤,總分被拉了下來,就進了第三志願——上海師院。

1966年,畢業於上海師範學院(現上海師範大學)物理系,被分到上海市梅隴中學當物理老師。

1978年,考上中科院上海技術物理研究所研究生。

1981年,獲得中國科學院上海技術物理研究所碩士學位。

1984年,獲得中國科學院上海技術物理研究所博士學位。

1984年12月起,擔任中科院技術物理研究所物理室副主任。

1986年2月至1988年10月,他獲得德國洪堡基金,赴德國慕尼黑技術大學物理系從事半導體二維電子氣研究。

1993年7月,任中科院紅外物理國家重點實驗室主任。

2005年,褚君浩正式當選中科院院士。

科學研究

科研綜述

褚君浩院士長期從事紅外光電子材料和器件的研究,開展了用於紅探測器的窄禁半導體碲鎘汞(HgCdTe)和鐵電薄膜的材料物理和器件研究。提出了

HgCdTe的禁帶寬等關係式;被國際上稱為CXT公式,廣泛引用並認為與實驗結果最符合;建立了研究窄禁帶半導體MIS器件結構二維電子氣子能帶結構的理

論模型;發現了HgCdTe的基本光電躍遷特性,確定了材料器件的光電判別依據;開展了鐵電薄膜材料物理和非冷紅外探測器研究,研究成功PZT和BST鐵電

薄膜非製冷紅外探測器並實現了熱成像,為中國物理科學和研究作出了重大貢獻。

主要研究固體物理、窄禁帶半導體物理。系統研究了窄禁帶半導體的基礎物理,在光學性質、電學性質、能帶結構、晶格振動、雜質缺陷、二維電子氣研

究方面取得系統的研究成果,HgCdTe基礎物理部分研究成果具有國際領先水平。提出的禁帶寬度公式被國際上稱為CXT公式(褚、徐、湯)。 [5]

主要論著

截至2015年12月,褚君浩發表論文200餘篇,研究結果被國內外廣泛引用並被大篇幅寫進美國、英國、荷蘭、前蘇聯等出版的科學手冊和專著中。被國際權威的Landolt-Bornstein科技數據集特邀為「含Hg化合物部分」修訂負責人。 1褚君浩,窄禁帶半導體物理學, 科學出版社,2005。 2Junhao Chu and Arden Sher,Physics and Properties of Narrow Gap Semiconductors,Springer,2007 3Junhao Chu and Arden Sher,Devices Physics of Narrow Gap Semiconductors, Springer,2007 4RBlachnik,JChu,RRGalazka,JGeurts,JGutowski,BHonerlage,DEHofm ann,JKossut,RLevy,PMichler,UNeukirch,DStrauch,TStory,AWaag,Landol t-Boernstein: Numrical Data and Functional Relationships in Science and Technology III/41B Semiconductors: II-VI and I-VII Compounds; Semimagnetic Compounds, Edited By U Rossler,Springer, 1999 5JChu,TDietl,WDobrowolski,JGutowski,BKMeyer,KSebald,TStory,TVoss, Landolt-Boernstein: Numrical Data and Functional Relationships in Science and Technology III/44B: New Data and Updates and Updates for II-VI Compounds,Springer, 2008:347 6Junhao Chu,Pulin Liu,Yong Chang Editors,Proceedings of Fourth International Conference on Thin Film Physics and Applications,SPIE Vol4086,World Scientific, 2000 7Junhao Chu,Zongsheng Lai,Lianwei Wang,Shaohui Xu Editors,Proceedings of Fifth International Conference on Thin Film Physics and Applications,SPIE Vol5774,World Scientific, 2004 8Junhao Chu,Shiqiu Xu,and Dingyuau Tang,Energy Gap Versus Alloy Composition and Temperature in HgCdTe ApplPhysLett,1983,43(11):1064 9Chu Junhao,Xu shiqiu,Tang Dingyuan,The Energy Band Gap of Ternary Semiconductor HgCdTe Kexe Tongbao,1983,8(6):851 10Junhao Chu,Dingrong Qian,and Dingyuan Tang,Burstein Moss Effect in HgCdTe Physics Scripta,VolT14,1986,37 11Junhao Chu,RSizmann,RWollrab,FKoch,JZiegle,HMaier,The Study of Capacitance Spectroscopy of Resonant Defect States in HgCdTe,JInfrared & MillimWaves,1989,8(5):395 12Chu Junhao,Mi Zhengyu,Study on Two Dimensional Electron Gas for P-HgCdTe MIS Heterostructures,JInfrared ,MillimWaves,1989,8(6):54~63 13Junhao Chu,RSizmann,FKoch,Dispersion Relation and Landau Levels of Inversion Layer Subband on P-HgCdTe,Science in China,1990,A 33(10):1192 14Junhao Chu,Zhengyu Mi,Subband Structure Models of N-inversion Layer in Narrow Gap Semiconductors,JInfrared & MillimWaves,1990,9(3):209 15Junhao Chu,SCShen,RSizmann,FKoch,JZiegler,HMaier,Subband Electron Cyclotron Resonance and Spin Resonance P-HgCdTe MIS Heterostructures,Surface Science,1991,241:204~210. 16Junhao Chu,Xuechu Shen,RSizmann,FKoch,Magneto Optical Resonance of Subband Electron for HgCdTe,JInfrared MillimWaves,1991,10(1):50 17Junhao Chu,Zhengyu Mi and Dingyuag Tang,Intrinsic Absorption and Related Quantities in HgCdTe,Infrared Physics,1991,32:195 18JHChu,ZYMi,RSizman,and FKoch,Subband Structure in the Electric Cuantum Limit in HgCdTe,PhysRev,1991,B44:1717 19Junhao Chu,Zhengyu Mi and Dingyuan Tang,Band to Band Optical Absorption in Narrow-gap HgCdTe Semiconductors,JApplPhys,1992,71(8):3955 20JHChu,ZYMi,RSizmann,FKoch,RWollrab,JZiegler,HMaier,Influe nce of Resonant Defect States on Subband Structure in HgCdTe JVacSciTech,1992,B 10(4):1569 21JHChu and SCShen,The Study of Far-infrared Phonon Spectra on HgCdTe Semicond,Sci& Tech,1993,8:S86~S89 22JHChu,BLi,KLiu,and DYTang,Empirical Rule of Intrinsic Absorption-spectroscopy in HgCdTe,JApplPhys,1994,1234 23Junhao Chu,Dingyuan Tang,Recent Progress on HgCdTe at the National Laboratory for Infrared Physics in China,JElectronic Materials,1996,25 (8):1176 24Junhao Chu,Yongsheng Gui,Biao Li ,Dingyuan Tang,Determination of Cut-off Wavelength and Composition Distribution in Hg1- xCdxTe,JElectronMater1998,27(6):718 科研獲獎 1987年,獲國家自然科學獎四等獎。

1992年,獲中國科學院自然科學一等獎。

1993年,獲國家自然科學獎三等獎。

1995年,獲中國科學院自然科學二等獎。

1999年,獲中國科學院自然科學二等獎。

2005年,獲國家自然科學獎二等獎。

人才培養

在做好科研的同時,褚君浩也非常重視教育。他認為為人師首先要了解對方,其次教育要達到互動,因為不同的人有不同的接受方式,所以要講究方法和

效率。對學生,他主張除了傳授知識外,要充分發揮學生的主觀能動性,啟發為主,指導為輔。此外,他對學生的研究態度有嚴格的要求,其核心是踏實

和嚴謹。他已培養50多名博士,其中獲得全國百篇優秀博士論文獎2名,中國科學院院長特別獎2名、優秀獎2名。

榮譽表彰

2004年,被評為國家973計劃先進個人和國家重點實驗室計劃先進個人金牛獎。

2014年,被授予第十屆「十佳全國優秀科技工作者」稱號。

2017年5月,獲得全國創新爭先獎章; 9月,被評為2017感動上海年度人物。

視頻

參考來源