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| 邹世昌 | |
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邹世昌 | |
| 出生 | 1931年7月27日 |
| 国籍 | 中国 |
| 籍贯 | 江苏苏州太仓市 |
| 民族 | 汉 |
| 母校 | 唐山交通大学冶金工程系 |
| 职业 | 教学科研工作者 |
| 研究领域 |
离子束与固体材料的相互作用及其在半导体材料与器件方面的应用 |
邹世昌 材料科学家。原籍江苏太仓，1931年7月27日生于上海。1952年毕业于唐山交通大学冶金工程系。1958年获苏联莫斯科有色金属学院副博士学位。中国科学院上海冶金研究所研究员。1991年当选为中国科学院院士（学部委员）。[1]
教育背景
- 1950-07--1952-07 北方交通大学唐山工学院冶金工程系 学士
- 1954-02--1958-02 苏联莫斯科有色金属学院学习 副博士
人物生平
- 1931年7月27日，邹世昌出生于上海市，原籍江苏苏州太仓市。
- 1949年初，邹世昌从上海格致中学毕业后考入了由申新纱厂创办的中国纺织工学院（1999年更名为东华大学）学习。
- 1950年，进入交通大学唐山工学院（即唐山交通大学，现西南交通大学）冶金工程系学习。
- 1952年，毕业后进入中国科学院上海冶金陶瓷研究所工作，担任研究实习员。
- 1953年，进入北京俄语专修学校学习。
- 1954年，赴苏留学，前往莫斯科有色金属学院学习（至1958年）。
- 1958年，在前苏联莫斯科有色金属学院获副博士学位，之后回国进入中国科学院上海冶金研究所（2001年更改为中国科学院上海微系统与信息技术研究所）工作，先后担任助研、副研究员，室主任、大组长、研究员、所长。
- 1979年，任西德慕尼黑弗朗霍夫学会固体技术研究所客座教授（-1980年）。
- 1986年，当选为中共上海市第五届委员会候补委员。
- 1991年，当选为中国科学院学部委员（院士）。
- 1992年，当选为中共第十四届中央委员会候补委员。
研究方向
60年代负责国防重点任务甲种分离膜加工成形部分工作，对技术路线进行优选决策。70年代以后在离子束与固体相互作用以及离子束材料改性、合成、加工和分析等方面进行了系统的研究工作。独创用二氧化碳激光背面辐照获得了离子注入损伤的增强退火效应。用全离子注入技术研制成中国第一块120门砷化镓门阵列电路，用反应离子束加工成中国第一批闪光全息光栅。研究SOI材料并制成CMOS／SOI电路。发展了离子束增强沉积技术并合成了氮化硅、氮化钛薄膜。
科研成果
- 半导体离子注入：研究了离子注入硅的损伤及其退火行为，独创性地提出了用二氧化碳激光从背面照射对离子注入半导体进行退火及合金化的新方法，这项工作获中国科学院1982年重大科技成果二等奖。研究了用双离子注入的办法在磷化铟中得到了最高的载流子浓度及掺杂电激活率，并用全离子注入技术率先研制出国内第一块120门砷化镓门阵列电路和高速分频器，获中国科学院1990年科技进步奖一等奖。
- SOI技术：对SOI技术进行了系统的研究，用离子注入和激光再结晶方法合成了SOI新材料。解决了激光再结晶SOI 材料适于制作电路的表面质量问题，获得一项发明专利。在深入分析SOI材料光学效应的基础上，提出了一套非破坏性的表征技术，进而研制成功新型的CMOS/SOI电路。该项目获中国科学院1990年自然科学奖二等奖。
- 离子束微细加工：研究了低能离子束轰击材料表面引起的溅射、损伤和貌相变化等物理现象，并用反应离子束微细加工在石英基片上刻蚀出中国第一批实用闪耀全息光栅，闪耀角可控，工艺重复稳定，衍射效率大为提高，这是光栅制造技术的重大突破，获中国科学院1987年科技进步二等奖与1989年国家科技进步奖三等奖。
- 离子束增强沉积：负责国家“863高技术材料领域材料表面优化”专题，建立并掌握了可控、可预置和可重复的离子束增强沉积技术，合成了与基体有很强粘附力，低摩擦系数和高耐磨性的氮化硅、氮化钛薄膜。
主要奖项
邹世昌获国家发明一等奖和中国科学院自然科学、科技进步等14项奖励，发表文章200多篇。
- 1982年，获中国科学院重大科技成果二等奖
- 1987年，获中国科学院1987年科技进步二等奖
- 1989年，获国家科技进步奖三等奖
- 1989年，被评为上海市劳动模范。
- 1990年，获中国科学院科技进步奖一等奖
- 2003年，被评为上海浦东开发建设杰出人才
- 2008年，被国际半导体设备材料协会SEMI授予中国半导体产业开拓奖。
- 2015年11月，2015年上海科普教育创新奖，邹世昌院士的“继承和发扬‘两弹一星’精神，激励广大青年投身祖国科研一线”项目获得2015年度“科普贡献奖（个人）”一等奖[2]。