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鄂惹電子
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鄂惹電子(Auger Electron)是由於位於低能階電子軌道上發射出來的電子。

原理

一般認為是以特性輻射的方式發射，但事實上，是以鄂惹電子的方式發射出，它實際上是電子捕獲所伴隨產生之特性輻射再被其他核外電子所吸收而游離出來的電子。KLM 鄂惹電子=是指 L 層的電子，躍遷至 K 層的電洞，釋出的特性輻射將 M 層的電子擊出，此被擊出的電子稱為 KLM 鄂惹電子，其動能=EK-EL-EM。

臨床應用

鄂惹放射核種之標靶治療，乃利用核種衰變時釋出之大量低能量鄂惹電子，以高度游離的作用方式打斷DNA鍵結，誘發各種形式的雙股斷裂。鄂惹放射核種產生之大量電子串雨，射程多在數奈米至數十奈米之間，若能將鄂惹核種標靶到DNA附近，則誘發之雙股斷裂產率會很大，且DNA雙股斷裂複雜程度會很高，因為不易修復，故能有效殺死癌細胞，達到腫瘤治療之目的。本研究開發多環源區至靶區的奈米劑量評估模式，計算鄂惹核種標靶治療之相對生物效應。針對均勻分布於細胞核內之數種不同鄂惹核種，評估所得之DNA雙股斷裂產率的比較。研究結果顯示碘-125 之雙股斷裂產率最高，相對生物效應值最大。