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陶瓷基片

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陶瓷基片,又稱陶瓷基板,是以電子陶瓷為基底,對膜電路元件及外貼切元件形成一個支撐底座的片狀材料。

簡介

隨着微電子技術的進步,微加工工藝的特徵線寬已達亞微米級,一塊基板上可以集成106~109個以上元件,電路工作的速度越來越快、頻率越來越高,這對基板材料的性能提出了更高的要求。作為混合集成電路(HIC)和多芯片組件(MCM)的關鍵材料之一,基板占其總成本的60%左右。陶瓷基板發展的總方向是低介電常數、高熱導率和低成本化。目前,實際生產和開發應用的陶瓷基片材料有Al2O3、AlN、SiC、BeO、BN、莫來石和玻璃陶瓷等。其中,BeO和SiC熱導率很高(³250W/m.K),但BeO因具有毒性,應用範圍小,故產量低;SiC因體積電阻較小(<1013W·cm)、介電常數較大(40)、介電損耗較高(50),不利於信號的傳輸,且成型工藝複雜、設備昂貴,故應用範圍也很小;AlN陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片,具有很高的熱導率(理論值為319W/m.K,商品化的AlN基片熱導率大於140W/m.k)、較低的介電常數(8.8)和介電損耗(~4×104)、以及和硅相配比的熱膨脹係數(4.4×10-4/℃)等優點,但由於成本居高,一直沒能大規模應用;Al2O3陶瓷基片雖然熱導率不高(20W/m.K),但因其生產工藝相對簡單,成本較低,價格便宜,成為目前最廣泛應用的陶瓷基片。

評價

高精密電子陶瓷流延機,先把粉碎好的粉料與粘結劑、增塑劑、分散劑、溶劑混合製成具有一定黏度的料漿,料漿從料斗流下,被刮刀以一定厚度刮壓塗敷在專用基帶上,經乾燥、固化後從上剝下成為生坯帶的薄膜,然後根據成品的尺寸和形狀需要對生坯帶作沖切、層合等加工處理,製成待燒結的毛坯成品,具有耐高溫、電絕緣性能高、介電常數和介質損耗低、熱導率大、化學穩定性好、與元件的熱膨脹係數相近等主要優點。工藝所需設備包含真空脫泡機,流延機,印刷機,等靜壓機,燒結爐等等。[1]

參考文獻